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講演名
2019-01-17 15:50
GaN-on-GaN構造の採用による転位密度低減に伴う高電界ストレスに対する電流コラプス特性の改善効果
○
今井章文
・
吉嗣晃治
・
南條拓真
・
綿引達郎
・
山向幹雄
(
三菱電機
)
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ED2018-79 MW2018-146
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