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| 講演名 | 2017-04-21 10:25 ［依頼講演］16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM ○澤田陽平・藪内 誠・森本薫夫（ルネサス エレクトロニクス）・佐野聡明（ルネサス システムデザイン）・石井雄一郎・田中信二（ルネサス エレクトロニクス）・田中美紀（ルネサス システムデザイン）・新居浩二（ルネサス エレクトロニクス） |
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