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講演名
2015-11-27 11:15
ALDにより成膜したHfO2を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの界面準位とデバイス特性
○
西野剛介
・
久保俊晴
・
江川孝志
(
名工大
)
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ED2015-82 CPM2015-117 LQE2015-114
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