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講演名
2020-11-26 13:50
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価
○
横井駿一
・
久保俊晴
・
江川孝志
(
名工大
)
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ED2020-8 CPM2020-29 LQE2020-59
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