情報・システム-画像工学(開催日:2021/11/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
顕微光音響・発光同時計測によるInGaN量子井戸の内部量子効率のIn組成依存性測定

森 恵人(金沢工大),  高橋 佑知(金沢工大),  森本 悠也(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-20,CPM2021-54,LQE2021-32
Ⅲ族窒化物半導体のレーザ構造における導波路損失の測定

小笠原 健太(金沢工大),  坂井 繁太(ウシオ電機),  奥村 忠嗣(ウシオ電機),  難波江 宏一(ウシオ電機),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-21,CPM2021-55,LQE2021-33
ハイドライド気相成長法によってホモエピ成長された高純度GaN膜のフォトルミネッセンス評価

今城 大渡(金沢工大),  山肥田 涼(金沢工大),  金森 弘尚(金沢工大),  渡邊 龍一(金沢工大),  木村 健司(サイオクス),  今野 泰一郎(サイオクス),  藤倉 序章(サイオクス),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-22,CPM2021-56,LQE2021-34
InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析

袴田 舜也(金沢工大),  藤田 貴志(金沢工大),  渡邊 龍一(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-23,CPM2021-57,LQE2021-35
[奨励講演]ナノワイヤ発光デバイスの埋め込み成長条件最適化および発光特性

宮本 義也(名城大),  曽根 直樹(名城大),  奥田 廉士(名城大),  Weifang Lu(名城大),  伊藤 和真(名城大),  山村 志織(名城大),  神野 幸美(名城大),  中山 奈々美(名城大),  勝呂 紗衣(名城大),  上山 智(名城大),  竹内 哲也(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-19,CPM2021-53,LQE2021-31
化学溶液析出法によるITO/ガラス基板上へのCu2O薄膜成長

神本 泰州(愛媛大),  大本 拓馬(愛媛大),  寺迫 智昭(愛媛大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-15,CPM2021-49,LQE2021-27
c面Al0.83In0.17N/GaN格子整合ヘテロ構造の光学特性評価

李 リヤン(東北大),  嶋 紘平(東北大),  山中 瑞樹(名工大),  小島 一信(東北大),  江川 孝志(名工大),  上殿 明良(筑波大),  石橋 章司(産総研),  竹内 哲也(名城大),  三好 実人(名工大),  秩父 重英(東北大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-24,CPM2021-58,LQE2021-36
ZnGa2O4ナノ構造の気相‐液相‐固相成長と構造およびフォトルミネッセンス特性

寺迫 智昭(愛媛大),  米田 岳司(愛媛大),  高橋 尚大(香川高専),  矢木 正和(香川高専),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-16,CPM2021-50,LQE2021-28
発光分光によるCuハライド薄膜の欠陥の検討

藤島 睦(長岡技科大),  田中 久仁彦(長岡技科大),  渡辺 海斗(長岡技科大),  辻本 直也(長岡技科大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-17,CPM2021-51,LQE2021-29
r面サファイア基板上への高温アニールa面AlN膜作製における基板オフ角依存性

渋谷 康太(三重大),  上杉 謙次郎(三重大),  肖 世玉(三重大),  正直 花奈子(三重大),  窪谷 茂幸(三重大),  秋山 亨(三重大),  三宅 秀人(三重大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-25,CPM2021-59,LQE2021-37
高温アニールAlNテンプレートを用いた220 nm帯発光AlGaN量子井戸の成長

石原 頌也(三重大),  窪谷 茂幸(三重大),  正直 花奈子(三重大),  上杉 謙次郎(三重大),  肖 世玉(三重大),  三宅 秀人(三重大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-26,CPM2021-60,LQE2021-38
光無線給電システムに向けたGaInN系受光素子の単色光照射下でのPV性能評価

中林 泰希(名工大),  山本 皓介(名工大),  Pradip Dalapati(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-27,CPM2021-61,LQE2021-39
PEDOT:PSS/ZnOナノロッド/ZnO:Gaヘテロ接合のUV光検出特性への熱処理の影響

小林 航平(愛媛大),  寺迫 智昭(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  古林 寛(高知工科大),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2021-11-25
[資料番号]ED2021-18,CPM2021-52,LQE2021-30
表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価

塩島 謙次(福井大),  田中 亮(富士電機),  高島 信也(富士電機),  上野 勝典(富士電機),  江戸 雅晴(富士電機),  

[発表日]2021-11-26
[資料番号]ED2021-28,CPM2021-62,LQE2021-40
界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga?O?ショットキー接触の面内均一性評価

川角 優斗(福井大),  堀切 文正(サイオクス),  福原 昇(サイオクス),  三島 友義(法政大),  四戸 孝(FLOSFIA),  塩島 謙次(福井大),  

[発表日]2021-11-26
[資料番号]ED2021-29,CPM2021-63,LQE2021-41
完全空乏したAlGaN/GaNエピタキシャル層を用いたプレーナ型EID-MOS-HEMTのノーマリオフ動作実証

南條 拓真(三菱電機),  今澤 貴史(三菱電機),  清井 明(三菱電機),  林田 哲郎(三菱電機),  綿引 達郎(三菱電機),  三浦 成久(三菱電機),  

[発表日]2021-11-26
[資料番号]ED2021-36,CPM2021-70,LQE2021-48
ALDにより成膜したSiO2/Al2O3 2層絶縁膜を用いたノーマリーオフ型AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性評価

戸田 圭太郎(名工大),  久保 俊晴(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2021-11-26
[資料番号]ED2021-31,CPM2021-65,LQE2021-43
低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製

渡久地 政周(北大),  三輪 和希(北大),  堀切 文正(サイオクス),  福原 昇(サイオクス),  成田 好伸(サイオクス),  市川 磨(サイオクス),  磯野 僚多(サイオクス),  田中 丈士(サイオクス),  佐藤 威友(北大),  

[発表日]2021-11-26
[資料番号]ED2021-34,CPM2021-68,LQE2021-46
AlN/AlGaInNバリアを備えた高耐圧Al0.36Ga0.64NチャネルHFET

井上 暁喜(名工大),  田中 さくら(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2021-11-26
[資料番号]ED2021-32,CPM2021-66,LQE2021-44
光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製

伊藤 滉朔(北大),  小松 祐斗(北大),  渡久地 政周(北大),  井上 暁喜(名工大),  田中 さくら(名工大),  三好 実人(名工大),  佐藤 威友(北大),  

[発表日]2021-11-26
[資料番号]ED2021-35,CPM2021-69,LQE2021-47
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