情報・システム-画像工学(開催日：2021/01/29)

タイトル/著者/発表日/資料番号
異なるタイミングの位相情報を用いたTime to Digital Converterの試作結果

森野 芳昭(三菱電機),  津留 正臣(三菱電機),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-29,MW2020-82
HfSiOxゲート AlGaN/GaN HEMTsのDC特性とMOS界面評価

越智 亮太(北大),  前田 瑛里香(芝浦工大/物質・材料研究機構),  生田目 俊秀(物質・材料研究機構),  塩﨑 宏司(名大),  橋詰 保(北大/名大),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-31,MW2020-84
ゲート容量負荷部の高調波処理によるCMOSスタック増幅器の高効率化検討

竹添 慎司(三菱電機),  森野 芳昭(三菱電機),  津留 正臣(三菱電機),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-36,MW2020-89
2周波混合ベクトル合成型移相器を用いたV帯受信RFICの試作結果

横溝 真也(三菱電機),  森野 芳昭(三菱電機),  津留 正臣(三菱電機),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-30,MW2020-83
β-Ga2O3 MOSFETの高周波特性評価と遅延時間解析

上村 崇史(NICT),  中田 義昭(NICT),  東脇 正高(NICT),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-33,MW2020-86
電磁界結合型2分の1波長共振器フィルタの設計理論に関する研究

二ッ矢 幹基(龍谷大),  石崎 俊雄(龍谷大),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-27,MW2020-80
InGaAs HEMT寄生抵抗抽出高精度化の検討

谷口 慶伍(東京理科大),  細谷 友崇(東北大),  楳田 洋太郎(東京理科大),  高野 恭弥(東京理科大),  末光 哲也(東北大),  佐藤 昭(東北大),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-35,MW2020-88
異なるトラップを持つAlGaN/GaN HEMTにおける2次元デバイスシミュレーションによるサイドゲート効果の解析

伊藤 海到(佐賀大),  大石 敏之(佐賀大),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-32,MW2020-85
［招待講演］次世代電力増幅器の高効率化技術と歪み補償技術

山岡 敦志(東芝),  ホーン トーマス(東芝),  江頭 慶真(東芝),  山口 恵一(東芝),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-37,MW2020-90
複数放射素子・複数共振器で構成される3直交軸成分放射60 GHz帯平面アンテナの測定評価

大平 昌敬(埼玉大),  馬 哲旺(埼玉大),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-28,MW2020-81
界面不純物低減によるGaN基板上GaN-HEMTの高効率化

熊崎 祐介(富士通/富士通研),  多木 俊裕(富士通/富士通研),  小谷 淳二(富士通/富士通研),  尾崎 史朗(富士通/富士通研),  新井田 佳孝(富士通研),  美濃浦 優一(富士通/富士通研),  西森 理人(富士通),  岡本 直哉(富士通/富士通研),  佐藤 優(富士通研),  中村 哲一(富士通研),  渡部 慶二(富士通/富士通研),  

[発表日]2021-01-29
[資料番号]ED2020-34,MW2020-87