情報・システム-画像工学(開催日:2019/06/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
超急峻スイッチングを可能にするVO2モットトランジスタの特殊な動作モード

矢嶋 赳彬(東大),  佐俣 勇佑(JST),  西村 知紀(JST),  鳥海 明(JST),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-32
[依頼講演]電子デバイスから見た 2D/3D ナノ計測の必要性 ナノ計測の必要性

臼田 宏冶(東芝メモリ),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-29
[依頼講演]X線によるナノデバイスおよび格子欠陥の三次元観測

表 和彦(リガク),  伊藤 義泰(リガク),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-31
[依頼講演]超音波原子間力顕微鏡によるナノ領域弾性特性評価

辻 俊宏(東北大),  山中 一司(ボールウェーブ),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]
超格子GeTe/Sb2Te3メモリの第一原理計算による構造変化シミュレーション

小川 湧太郎(名大),  野原 弘晶(名大),  白川 裕規(名大),  洗平 昌晃(名大),  白石 賢二(名大),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-33
熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

小林 征登(名大),  大田 晃生(名大),  黒澤 昌志(名大),  洗平 昌晃(名大),  田岡 紀之(名大),  池田 弥央(名大),  牧原 克典(名大),  宮﨑 誠一(名大),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-27
[依頼講演]光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測

筒井 一生(東工大),  松下 智裕(高輝度光科学研究センター),  名取 鼓太郞(東工大),  小川 達博(東工大),  室 隆桂之(高輝度光科学研究センター),  森川 良忠(阪大),  星井 拓也(東工大),  角嶋 邦之(東工大),  若林 整(東工大),  林 好一(名工大),  松井 文彦(分子科学研),  木下 豊彦(高輝度光科学研究センター),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-30
イオン注入法によるⅣ族半導体混晶薄膜の歪緩和促進機構について

祖父江 秀隆(名大),  福田 雅大(名大),  柴山 茂久(名大),  財満 鎭明(名城大),  中塚 理(名大),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-28
高濃度in-situ Sbドーピングおよびニッケル錫ゲルマニウム合金化によるn型Ge1-xSnxの超低抵抗コンタクト

全 智禧(名大),  鈴木 陽洋(名大),  柴山 茂久(名大),  財満 鎭明(名大),  中塚 理(名大),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-26
HfSiOx/GaN(0001)の化学構造および電子状態分析

大田 晃生(名大),  牧原 克典(名大),  生田目 俊秀(物質・材料研究機構),  塩﨑 宏司(名大),  宮﨑 誠一(名大),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-35
NO窒化処理を施したSiO2/SiC界面近傍の窒素分布評価

細井 卓治(阪大),  Kidist Moges(阪大),  染谷 満(産総研),  志村 考功(阪大),  原田 信介(産総研),  渡部 平司(阪大),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-25
ホウ素導入を行ったALD-Al2O3/GaN-MOSキャパシタにおける界面特性評価

出来 真斗(名大),  奥出 真(名大),  安藤 悠人(名大),  渡邉 浩崇(名大),  田中 敦之(名大),  久志本 真希(名大),  新田 州吾(名大),  本田 善央(名大),  天野 浩(名大),  

[発表日]2019-06-21
[資料番号]SDM2019-34