情報・システム-画像工学(開催日:2018/11/29)

タイトル/著者/発表日/資料番号
GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善

梶原 瑛祐(東芝),  新留 彩(東芝),  彦坂 年輝(東芝),  蔵口 雅彦(東芝),  吉岡 啓(東芝デバイス&ストレージ),  布上 真也(東芝),  

[発表日]2018-11-29
[資料番号]ED2018-35,CPM2018-69,LQE2018-89
ナノインプリントによるモスアイ構造作製法に関する評価実験

平賀 健太(山形大),  久保田 繁(山形大),  鹿又 健作(山形大),  有馬 ボシールアハンマド(山形大),  廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2018-11-29
[資料番号]ED2018-37,CPM2018-71,LQE2018-91
AlGaN深紫外LDの実現に向けた最近の進展

前田 哲利(理研),  山田 陽一(山口大),  定 昌史(理研),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2018-11-29
[資料番号]ED2018-34,CPM2018-68,LQE2018-88
GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性

船戸 充(京大),  市川 修平(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2018-11-29
[資料番号]ED2018-32,CPM2018-66,LQE2018-86
n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定

塩島 謙次(福井大),  前田 昌嵩(福井大),  三島 友義(法政大),  

[発表日]2018-11-29
[資料番号]ED2018-36,CPM2018-70,LQE2018-90
c面GaN上へのエピタキシャルAlInN膜の成長ならびにその混晶組成と微細構造の関係

山中 瑞樹(名工大),  三好 実人(名工大),  江川 孝志(名工大),  竹内 哲也(名城大),  

[発表日]2018-11-29
[資料番号]ED2018-33,CPM2018-67,LQE2018-87
ALD法を用いたフレキシブルフィルム上へのゼオライト薄膜の試作とイオン吸着特性評価

森 義晴(山形大),  野口 雄祐(山形大),  鹿又 健作(山形大),  三浦 正範(山形大),  有馬 ボシール アハンマド(山形大),  久保田 繁(山形大),  廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2018-11-29
[資料番号]ED2018-38,CPM2018-72,LQE2018-92
フォト電極修飾によるCdS量子ドット太陽電池の効率向上に関する研究

木幡 優弥(山形大),  三浦 正範(山形大),  鹿又 健作(山形大),  久保田 繁(山形大),  廣瀬 文彦(山形大),  有馬 ボシール アハンマド(山形大),  

[発表日]2018-11-29
[資料番号]ED2018-39,CPM2018-73,LQE2018-93
酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeSxOy薄膜の作製とZnO/FeSxOyヘテロ接合太陽電池の作製

季 ぶん(名工大),  市村 正也(名工大),  

[発表日]2018-11-29
[資料番号]ED2018-40,CPM2018-74,LQE2018-94
電気化学堆積法によるp-NiO/n-ZnO透明太陽電池の作製

古山 実季(名工大),  市村 正也(名工大),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-45,CPM2018-79,LQE2018-99
InGaN量子井戸の組成揺らぎ評価に関する実験的・理論的検討

藤田 貴志(金沢工大),  坂井 繁太(金沢工大),  池田 優真(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  蟹谷 裕也(ソニー),  冨谷 茂隆(ソニー),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-48,CPM2018-82,LQE2018-102
光励起誘導放出光測定によるInGaN量子井戸レーザのポテンシャル揺らぎ評価

大島 一輝(金沢工大),  池田 優真(金沢工大),  坂井 繁太(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  蟹谷 裕也(ソニー),  冨谷 茂隆(ソニー),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-49,CPM2018-83,LQE2018-103
化学溶液析出法による無添加及びLi添加CuO薄膜の成長と構造及び電気的特性

岡田 英之(愛媛大),  寺迫 智昭(愛媛大),  五丁 健治(愛媛大),  林本 直也(愛媛大),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-43,CPM2018-77,LQE2018-97
化学溶液析出法によるGZOシード層上へのZnOナノロッドの成長とPEDOT:PSS/ZnOナノロッドヘテロ接合の形成

小原 翔平(愛媛大),  寺迫 智昭(愛媛大),  難波 優(愛媛大),  橋国 直人(愛媛大),  矢木 正和(香川高専),  野本 淳一(高知工科大),  山本 哲也(高知工科大),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-44,CPM2018-78,LQE2018-98
歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET

細見 大樹(名工大),  古岡 啓太(名工大),  陳 ?(名工大),  斉藤 早紀(名工大),  久保 俊晴(名工大),  江川 孝志(名工大),  三好 実人(名工大),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-41,CPM2018-75,LQE2018-95
光化学堆積法によるp型Cu-AlOx薄膜の作製・評価

梅村 将成(名工大),  市村 正也(名工大),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-46,CPM2018-80,LQE2018-100
SiO2埋め込みによる光導波構造を有するIII族窒化物面発光レーザ

飯田 涼介(名城大),  林 菜摘(*),  村永 亘(名城大),  岩山 章(名城大),  竹内 哲也(名城大),  上山 智(名城大),  岩谷 素顕(名城大),  赤﨑 勇(名城大/名大),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-47,CPM2018-81,LQE2018-101
ALD-Al2O3/AlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果

古岡 啓太(名工大),  久保 俊晴(名工大),  三好 実人(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-42,CPM2018-76,LQE2018-96
r面サファイア上a面AlNスパッタ膜の高品質化と特性評価

福田 涼(三重大),  正直 花奈子(三重大),  蒋 楠(三重大),  上杉 謙次郎(三重大),  林 侑介(三重大),  肖 世玉(三重大),  三宅 秀人(三重大),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-50,CPM2018-84,LQE2018-104
GaN/AlGaNテラヘルツ量子カスケードレーザの実現に向けた最近の進展

王 科(理研),  王 利(理研),  林 宗澤(理研),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2018-11-30
[資料番号]ED2018-51,CPM2018-85,LQE2018-105
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