情報・システム-画像工学(開催日:2018/06/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
第一原理計算による超格子GeTe/Sb2Te3相変化メモリの理論的検討

野原 弘晶(名大),  白川 裕規(名大),  洗平 昌晃(名大),  白石 賢二(名大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-24
HfO2系強誘電体薄膜の大きな抗電界がもたらす課題

右田 真司(産総研),  太田 裕之(産総研),  鳥海 明(東大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-25
リモートプラズマ支援CVDにより形成したSiO2/GaN界面の化学結合状態および熱的安定性評価

松田 亮平(名大),  大田 晃生(名大),  田岡 紀之(産総研),  池田 弥央(名大),  牧原 克典(名大),  清水 三聡(産総研),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-22
X線光電子分光法によるY2O3/SiO2界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価

藤村 信幸(名大),  大田 晃生(名大),  池田 弥央(名大),  牧原 克典(名大),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-26
n-GaN自然酸化膜界面層がAl2O3/n-GaN MOSキャパシタの電気特性へ及ぼす効果

弓削 雅津也(芝浦工大),  生田目 俊秀(物質・材料研究機構),  色川 芳宏(物質・材料研究機構),  大井 暁彦(物質・材料研究機構),  池田 直樹(物質・材料研究機構),  Liwen Sang(物質・材料研究機構),  小出 康夫(物質・材料研究機構),  大石 知司(芝浦工大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-19
高性能GaN MOSFET実現に向けたSiO2/GaN界面制御

細井 卓治(阪大),  山田 高寛(阪大),  野崎 幹人(阪大),  高橋 言諸(産総研),  山田 永(産総研),  清水 三聡(産総研),  吉越 章隆(原子力機構),  志村 考功(阪大),  渡部 平司(阪大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-18
ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較

グェン スァン チュン(名大),  田岡 紀之(AIST-NU GaN-OIL),  大田 晃生(名大),  山田 永(AIST-NU GaN-OIL),  高橋 言緒(AIST-NU GaN-OIL),  池田 弥央(名大),  牧原 克典(名大),  清水 三聡(AIST-NU GaN-OIL),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-17
オフ角を有するm面GaN基板上GaN-MOSキャパシタの界面準位評価

出来 真斗(名大),  安藤 悠人(名大),  渡邉 浩崇(名大),  田中 敦之(名大),  久志本 真希(名大),  新田 州吾(名大),  本田 善央(名大),  天野 浩(名大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-16
酸素ラジカル照射によるAl2O3/SiC MOS界面の改質効果

土井 拓馬(名大),  竹内 和歌奈(愛知工大),  坂下 満男(名大),  田岡 紀之(産総研),  中塚 理(名大),  財満 鎭明(名大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-23
[依頼講演]反転層チャネルダイヤモンドMOSFET

松本 翼(金沢大),  加藤 宙光(産総研),  牧野 俊晴(産総研),  小倉 政彦(産総研),  竹内 大輔(産総研),  猪熊 孝夫(金沢大),  山崎 聡(産総研),  徳田 規夫(金沢大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-20
[依頼講演]ダイヤモンドデバイス応用研究の現状と課題:バルク・表面の結晶品質

加藤 有香子(産総研),  滝沢 耕平(東京都市大),  牧野 俊晴(産総研),  加藤 宙光(産総研),  小倉 政彦(産総研),  竹内 大輔(産総研),  山崎 聡(産総研),  野平 博司(東京都市大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]
[依頼講演]ダイヤモンドパワー電界効果トランジスタの進展

川原田 洋(早大),  大井 信敬(早大),  畢 特(早大),  今西 祥一朗(早大),  岩瀧 雅幸(早大),  矢部 太一(早大),  平岩 篤(早大),  

[発表日]2018-06-25
[資料番号]SDM2018-21