情報・システム-画像工学(開催日:2017/12/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
Al-Nコドープp型4H-SiCエピ膜の電気的特性

日高 淳輝(阪電通大),  竹下 明伸(阪電通大),  今村 辰哉(阪電通大),  高野 晃大(阪電通大),  奥田 和也(阪電通大),  小澤 愼二(阪電通大),  松浦 秀治(阪電通大),  紀 世陽(産総研),  江藤 数馬(産総研),  児島 一聡(産総研),  加藤 智久(産総研),  吉田 貞史(産総研),  奥村 元(産総研),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-14,SDM2017-75
高濃度Alドープ4H-SiCエピ膜の伝導機構

小澤 愼二(阪電通大),  竹下 明伸(阪電通大),  今村 辰哉(阪電通大),  高野 晃大(阪電通大),  奥田 和也(阪電通大),  日高 淳輝(阪電通大),  松浦 秀治(阪電通大),  紀 世陽(産総研),  江藤 数馬(産総研),  児島 一聡(産総研),  加藤 智久(産総研),  吉田 貞史(産総研),  奥村 元(産総研),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-12,SDM2017-73
高濃度Alドープ4H-SiCのホール係数の温度依存性

西畑 凜哉(阪電通大),  竹下 明伸(阪電通大),  今村 辰哉(阪電通大),  高野 晃大(阪電通大),  奥田 和也(阪電通大),  小澤 愼二(阪電通大),  日高 淳輝(阪電通大),  松浦 秀治(阪電通大),  紀 世陽(産総研),  江藤 数馬(産総研),  児島 一聡(産総研),  加藤 智久(産総研),  吉田 貞史(産総研),  奥村 元(産総研),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-13,SDM2017-74
GaSnO薄膜を用いたフレキシブルデバイス応用

髙木 瞭(龍谷大),  梅田 鉄馬(奈良先端大),  松田 時宜(龍谷大),  上沼 睦典(奈良先端大),  木村 睦(龍谷大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-16,SDM2017-77
薄膜コイルを有した生体刺激デバイスへのワイヤレス給電

三澤 慶悟(龍谷大),  冨岡 圭佑(龍谷大),  三宅 康平(龍谷大),  木村 睦(龍谷大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-15,SDM2017-76
IGZO薄膜を可変抵抗素子として用いた脳型集積システム

山川 大樹(龍谷大),  柴山 友輝(龍谷大),  生島 恵典(龍谷大),  杉崎 澄生(龍谷大),  宮前 義範(ローム),  木村 睦(龍谷大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-19,SDM2017-80
レアメタルフリー酸化物半導体のゼーベック効果測定

野村 竜生(龍谷大),  荒牧 達也(龍谷大),  松田 時宜(龍谷大),  梅田 鉄馬(奈良先端大),  上沼 睦典(奈良先端大),  木村 睦(龍谷大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-17,SDM2017-78
ミストCVD法を用いたGaSnO薄膜の特性評価

岡本 龍吾(龍谷大),  福嶋 大貴(龍谷大),  松田 時宜(龍谷大),  木村 睦(龍谷大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-23,SDM2017-84
薄膜トランジスタを用いた薄膜生体刺激デバイスの動作検証

三宅 康平(龍谷大),  冨岡 圭佑(龍谷大),  三澤 慶悟(龍谷大),  木村 睦(龍谷大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-25,SDM2017-86
アモルファス酸化物半導体を用いたクロスポイント型シナプス

田中 遼(龍谷大),  杉崎 澄生(龍谷大),  木村 睦(龍谷大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-20,SDM2017-81
DNA/Si-MOSFETの正孔,電子伝導に関する検討

中野 響(兵庫県立大),  松尾 直人(兵庫県立大),  部屋 彰(兵庫県立大),  高田 忠雄(兵庫県立大),  山名 一成(兵庫県立大),  佐藤 旦(広島大),  横山 新(広島大),  大村 泰久(関西大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-28,SDM2017-89
Ge薄膜のFLA結晶化におけるキャップ層の効果

吉岡 尚輝(兵庫県立大),  秋田 佳輝(兵庫県立大),  部家 彰(兵庫県立大),  松尾 直人(兵庫県立大),  小濱 和之(阪大),  伊藤 和博(阪大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-26,SDM2017-87
強誘電体キャパシタを用いたニューラルネットワークのシミュレーション

小川 功人(龍谷大),  横山 朋陽(龍谷大),  木村 睦(龍谷大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-21,SDM2017-82
円柱状Ge膜のFLA結晶化における光学的バンドギャップの効果

吉岡 尚輝(兵庫県立大),  部家 彰(兵庫県立大),  松尾 直人(兵庫県立大),  秋田 佳輝(兵庫県立大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-27,SDM2017-88
Cu-MICを用いたガラス基板上のダブルゲート低温多結晶ゲルマニウムスズ薄膜トランジスタ

西口 尚希(東北学院大),  内海 弘樹(東北学院大),  原 明人(東北学院大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-24,SDM2017-85
シリコン基板上に形成した強誘電体厚膜におよぼすプロトンビーム照射の影響

平出 惇(芝浦工大),  山口 正樹(芝浦工大),  増田 陽一郎(八戸工大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-22,SDM2017-83
グラフェンの電気抵抗に関する解析的検討

松尾 直人(兵庫県立大),  部家 彰(兵庫県立大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-29,SDM2017-90
薄型結晶シリコン太陽電池に向けたナノインプリントテクスチャの光閉じ込め効果

中井 雄也(奈良先端大),  石河 泰明(奈良先端大),  浦岡 行治(奈良先端大),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-11,SDM2017-72
Three-dimension periodic nano-structure fabricated by proximity nano-patterning process (PnP)

王 旭東方(奈良先端大),  石河 泰明(奈良先端大),  荒木 慎司(奈良先端大),  浦岡 行治(奈良先端大),  な し(KAIST),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]EID2017-18,SDM2017-79
Si太陽電池とLEDマトリクスからなる超高出力トランジスタとサイリスタ

岡本 研正(光半導体デバイス応用技術研),  

[発表日]2017-12-22
[資料番号]