情報・システム-画像工学(開催日:2017/11/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]深いトラップを含むGaN MOSキャパシタ容量のシミュレーション

福田 浩一(産総研),  浅井 栄大(産総研),  服部 淳一(産総研),  清水 三聡(産総研),  橋詰 保(北大),  

[発表日]2017-11-09
[資料番号]SDM2017-66
[招待講演]SISPAD 2017 レビュー(1)

廣木 彰(京都工繊大),  

[発表日]2017-11-09
[資料番号]SDM2017-62
p-LDMOSFETのホットキャリア耐性を向上させる新構造の検討

酒井 敦(ルネサス エレクトロニクス),  永久 克己(ルネサス エレクトロニクス),  藤井 宏基(ルネサス),  森 隆弘(ルネサス),  秋山 豊(ルネサス エレクトロニクス),  山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2017-11-09
[資料番号]SDM2017-63
[招待講演]GaN MOVPE成長のマルチフィジックスシミュレーション

白石 賢二(名大),  関口 一樹(名大),  長川 健大(名大),  白川 裕規(名大),  川上 賢人(名大),  山本 芳裕(名大),  洗平 昌晃(名大),  岡本 直也(名大),  芳松 克則(名大),  寒川 義裕(九大),  柿本 浩一(九大),  

[発表日]2017-11-09
[資料番号]SDM2017-61
[招待講演]SiCパワーMOSFETの特性測定とモデル化

佐藤 高史(京大),  大石 一輝(京大),  廣本 正之(京大),  新谷 道広(奈良先端大),  

[発表日]2017-11-09
[資料番号]SDM2017-65
[招待講演]SiC中の不純物拡散モデル

植松 真司(慶大),  

[発表日]2017-11-09
[資料番号]SDM2017-64
[招待講演]不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面

佐野 伸行(筑波大),  

[発表日]2017-11-10
[資料番号]SDM2017-68
[招待講演]行列指数法によるデバイス過渡シミュレーションの正確な時間刻み指標

熊代 成孝(京都工繊大),  亀井 達也(京都工繊大),  廣木 彰(京都工繊大),  小林 和淑(京都工繊大),  

[発表日]2017-11-10
[資料番号]SDM2017-70
[招待講演]トラップ電荷起因抵抗を考慮した28nm世代混載フラッシュ向けSG-MONOS SPICEモデル

黄 俐昭(ルネサス エレクトロニクス),  宮森 充(ルネサス エレクトロニクス),  常野 克己(ルネサス エレクトロニクス),  牟田 哲也(ルネサス エレクトロニクス),  川嶋 祥之(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2017-11-10
[資料番号]SDM2017-71
[招待講演]SISPAD 2017 レビュー(2)

来栖 貴史(東芝メモリ),  

[発表日]2017-11-10
[資料番号]SDM2017-67
[招待講演]極微細トランジスタの量子輸送シミュレーション

森 伸也(阪大),  美里劫 夏南(阪大),  岩田 潤一(東大),  押山 淳(東大),  

[発表日]2017-11-10
[資料番号]SDM2017-69