情報・システム-画像工学(開催日:2017/05/25)

タイトル/著者/発表日/資料番号
共振器内部に非線形材料を挿入したモード同期レーザーの効率に関する理論解析

佐藤 徹(福井大),  中島 直哉(福井大),  稲吉 真一(福井大),  角谷 宏樹(福井大),  林 啓佑(福井大),  金武 知樹(福井大),  杉木 史弘(福井大),  川戸 栄(福井大),  

[発表日]2017-05-25
[資料番号]LQE2017-8
光同期OPCPAのための高エネルギーグリーンレーザーの開発

宮坂 泰弘(量研機構),  桐山 博光(量研機構),  岸本 牧(量研機構),  森 道昭(量研機構),  神門 正城(量研機構),  近藤 公伯(量研機構),  

[発表日]2017-05-25
[資料番号]LQE2017-6
[Invited Talk] Ultra-high intensity, repetitive J-KAREN-P laser system at QST

桐山 博光(量研機構),  西内 満美子(量研機構),  ピロジコフ アレクサンダー(量研機構),  福田 祐仁(量研機構),  榊 泰直(量研機構),  匂坂 明人(量研機構),  ニコラス ドーバー(量研機構),  近藤 康太郎(量研機構),  西谷 勁太(量研機構),  小倉 浩一(量研機構),  森 道昭(量研機構),  宮坂 泰弘(量研機構),  神門 正城(量研機構),  近藤 公伯(量研機構),  

[発表日]2017-05-25
[資料番号]LQE2017-5
光無線給電実現に向けた半導体レーザのビームステアリングシステム

丸山 武男(金沢大),  Hendra Ainanta(金沢大),  谷沢 元春(金沢大),  

[発表日]2017-05-25
[資料番号]LQE2017-7
[招待講演]ハロゲン化金属ペロブスカイト半導体の光物理

山田 泰裕(千葉大),  金光 義彦(京大),  

[発表日]2017-05-25
[資料番号]LQE2017-3
[招待講演]窒化物半導体レーザ構造における光学利得生成機構と性能予測

小島 一信(東北大),  

[発表日]2017-05-25
[資料番号]LQE2017-1
[招待講演]プラズモニック材料の現状と展望

髙原 淳一(阪大),  

[発表日]2017-05-25
[資料番号]LQE2017-4
表面電流駆動型空間光変調効果の発現とその応用

竪 直也(九大),  

[発表日]2017-05-25
[資料番号]LQE2017-2
[招待講演]有機太陽電池材料とその真空蒸着時の液体導入による結晶化

嘉治 寿彦(東京農工大),  

[発表日]2017-05-25
[資料番号]
二波長同時光パラメトリック増幅によるCEP安定な高強度中赤外パルス光の発生,及びそれを用いた固体中の強電場過程の研究

金島 圭佑(北大),  石井 順久(東大),  竹内 健悟(東大),  板谷 治郎(東大),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-15
III-V/Si MOS キャパシタマッハツェンダ変調器

開 達郎(NTT),  相原 卓磨(NTT),  長谷部 浩一(NTT),  藤井 拓郎(NTT),  武田 浩司(NTT),  硴塚 孝明(NTT),  土澤 泰(NTT),  福田 浩(NTT),  松尾 慎治(NTT),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-13
シリコン集積素子の光I/O

徳島 正敏(光電子融合基盤技研),  牛田 淳(光電子融合基盤技研),  屋敷 健一郎(光電子融合基盤技研),  堀川 剛(光電子融合基盤技研),  蔵田 和彦(光電子融合基盤技研),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-12
28-Gbit/s 80-km伝送の実現に向けた1.3 μm帯SOA集積型EADFBレーザ(AXEL)

進藤 隆彦(NTT),  小林 亘(NTT),  長谷部 浩一(NTT),  藤原 直樹(NTT),  吉松 俊英(NTT),  金澤 慈(NTT),  大野 哲一郎(NTT),  三条 広明(NTT),  大礒 義孝(NTT),  石井 啓之(NTT),  曽根 由明(NTT),  松崎 秀昭(NTT),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-17
新材料系を用いたテラヘルツ帯量子カスケードレーザの性能向上検討

安田 浩朗(NICT),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-16
1.3μm帯量子ドットDFBレーザの広い温度範囲での低消費電力動作

羽鳥 伸明(光電子融合基盤技研),  鄭 錫煥(光電子融合基盤技研),  田中 有(光電子融合基盤技研),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-20
超温度安定1550nm帯多層積層pドープ型QDレーザの検討

松本 敦(NICT),  赤羽 浩一(NICT),  梅沢 俊匡(NICT),  山本 直克(NICT),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-19
シリコンマイクロリング装荷型マッハ・ツェンダー光変調器の設計と高速変調

高澤 弘樹(横浜国大),  藪下 裕貴(横浜国大),  國分 泰雄(横浜国大),  荒川 太郎(横浜国大),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-14
光励起したシリコンにおけるテラヘルツパルスの伝播

守安 毅(福井大),  笹島 秀樹(福井大),  河本 敏郎(神戸大),  北原 英明(福井大),  谷 正彦(福井大),  熊倉 光孝(福井大),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-11
波長板を用いたTHzホール測定

森本 智英(阪大),  永井 正也(阪大),  芦田 昌明(阪大),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-10
25Gb/s直接変調レーザを搭載したTO-CANの広温度範囲動作

白尾 瑞基(三菱電機),  中村 誠希(三菱電機),  島田 征明(三菱電機),  鈴木 洋介(三菱電機),  境野 剛(三菱電機),  野上 正道(三菱電機),  

[発表日]2017-05-26
[資料番号]LQE2017-18
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