情報・システム-画像工学(開催日:2017/04/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[依頼講演]2Xnm世代以降のトランジスタに向けた,高速且つ低消費電力動作する不揮発性STT-MRAM用MTJ素子の開発

才田 大輔(東芝),  柏田 沙織(東芝),  矢ヶ部 恵弥(東芝),  大坊 忠臣(東芝),  伊藤 順一(東芝),  野口 紘希(東芝),  安部 恵子(東芝R&D),  藤田 忍(東芝),  福本 三芳(阪大),  三輪 真嗣(阪大),  鈴木 義茂(阪大),  

[発表日]2017-04-20
[資料番号]ICD2017-2
[依頼講演]IoTローカルデバイス向けCMOSプロセスとNAND型フラッシュプロセスで構成される1.0 V動作NAND型フラッシュメモリ書き込み電圧生成回路

鶴見 洸太(中大),  田中 誠大(中大),  竹内 健(中大),  

[発表日]2017-04-20
[資料番号]ICD2017-5
[招待講演]9F2型高密度セルと階層ビット線方式を採用しLPDDR2インターフェースを実装した4GビットSTT-MRAM

土田 賢二(東芝),  Kwangmyoung Rho(SK hynix),  Dongkeun Kim(SK hynix),  白井 豊(東芝),  Jihyae Bae(SK hynix),  稲場 恒夫(東芝),  野呂 寛洋(東芝),  Hyunin Moon(SK hynix),  Sungwoong Chung(SK hynix),  須之内 一正(東芝),  Jinwon Park(SK hynix),  Kiseon Park(SK hynix),  山本 明人(東芝),  Seoungju Chung(SK hynix),  Hyeongon Kim(SK hynix),  

[発表日]2017-04-20
[資料番号]ICD2017-3
[依頼講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS

津田 是文(ルネサス エレクトロニクス),  川嶋 祥之(ルネサス エレクトロニクス),  園田 賢一郎(ルネサス エレクトロニクス),  吉冨 敦司(ルネサス エレクトロニクス),  三原 竜善(ルネサス エレクトロニクス),  鳴海 俊一(ルネサス エレクトロニクス),  井上 真雄(ルネサス エレクトロニクス),  村中 誠志(ルネサス エレクトロニクス),  丸山 隆弘(ルネサス エレクトロニクス),  山下 朋弘(ルネサス エレクトロニクス),  山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス),  久本 大(日立),  

[発表日]2017-04-20
[資料番号]ICD2017-7
[招待講演]車載用アプリケーションが求める混載Flash技術

中野 全也(ルネサス エレクトロニクス),  伊藤 孝(ルネサス エレクトロニクス),  山内 忠昭(ルネサス エレクトロニクス),  山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス),  河野 隆司(ルネサス エレクトロニクス),  日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2017-04-20
[資料番号]ICD2017-8
[依頼講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ

與田 博明(東芝),  下村 尚治(東芝),  大沢 裕一(東芝),  白鳥 聡志(東芝),  加藤 侑志(東芝),  井口 智明(東芝),  上口 裕三(東芝),  ブヤンダライ アルタンサガイ(東芝),  斉藤 好昭(東芝),  鴻井 克彦(東芝),  杉山 英行(東芝),  及川 壮一(東芝),  清水 真理子(東芝),  石川 瑞恵(東芝),  池上 一隆(東芝),  

[発表日]2017-04-20
[資料番号]ICD2017-1
[依頼講演]リード・ホット・データとコールド・データのエラーを削減するデータセンタ向けTLC NAND型フラッシュメモリの高信頼制御技術

中村 俊貴(中大),  小林 惇朗(中大),  竹内 健(中大),  

[発表日]2017-04-20
[資料番号]ICD2017-6
[Invited Talk] A 512Gb 3b/Cell Flash Memory on 64-Word-Line-Layer BiCS Technology

山下 竜二(ウェスタンデジタル),  サガー マジア(ウェスタンデジタル),  樋口 勉(東芝),  米谷 和英(東芝),  山村 俊雄(東芝),  水越 裕之(ウェスタンデジタル),  財津 真吾(ウェスタンデジタル),  山下 実(ウェスタンデジタル),  外山 俊一(ウェスタンデジタル),  釡江 典裕(ウェスタンデジタル),  フアン リー(ウェスタンデジタル),  シュオ チェン(ウェスタンデジタル),  ジアウェイ タオ(ウェスタンデジタル),  ウィリアム マック(ウェスタンデジタル),  シャオフア ツァン(ウェスタンデジタル),  

[発表日]2017-04-20
[資料番号]ICD2017-9
[招待講演]ナノドット型恒久メモリーの研究

渡邊 強(神戸大),  三浦 典之(神戸大),  劉 施佳(神戸大),  今井 繁規(神戸大),  永田 真(神戸大),  

[発表日]2017-04-20
[資料番号]ICD2017-4
[依頼講演]16-nm FinFETを用いた6.05-Mb/mm2の高密度及び313psの高速読み出し可能なDouble Pumping型1W1R 2-port SRAM

澤田 陽平(ルネサス エレクトロニクス),  藪内 誠(ルネサス エレクトロニクス),  森本 薫夫(ルネサス エレクトロニクス),  佐野 聡明(ルネサス システムデザイン),  石井 雄一郎(ルネサス システムデザイン),  田中 信二(ルネサス エレクトロニクス),  田中 美紀(ルネサス システムデザイン),  新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2017-04-21
[資料番号]ICD2017-12
[Invited Lecture] A 55nm Ultra Low Leakage Deeply Depleted Channel Technology Optimized for Energy Minimization in Subthreshold SRAM and Logic

ハーシュ ペイテル(バージニア大),  アブヒシェク ロイ(バージニア大),  ファラ B ヤハ(バージニア大),  ニンギ リウ(バージニア大),  ベントン カルホーン(バージニア大),  原田 昭彦(FEA),  粂野 一幸(MIFS),  安田 真(MIFS),  江間 泰示(MIFS),  

[発表日]2017-04-21
[資料番号]ICD2017-11
[Invited Talk] A 1/2.3in 20Mpixel 3-Layer Stacked CMOS Image Sensor with DRAM

春田 勉(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  中島 務(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  橋爪 淳(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  梅林 拓(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  高橋 洋(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  谷口 一雄(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  黒田 真実(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  住広 博(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  榎 弘二(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  山崎 孝次(ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング),  池澤 勝也(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  北原 淳(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  全 真生(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  大山 将史(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  古賀 洋貴(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  

[発表日]2017-04-21
[資料番号]ICD2017-18
[依頼講演]クロスバー型アンチヒューズメモリを用いた高集積プログラマブル論理回路

安田 心一(東芝),  小田 聖翔(東芝),  松本 麻里(東芝),  辰村 光介(東芝),  財津 光一郎(東芝),  何 英豪(東芝),  小野 瑞城(東芝),  

[発表日]2017-04-21
[資料番号]ICD2017-15
[依頼講演]不揮発性SRAMのアーキテクチャとエネルギー性能

北形 大樹(東工大),  周藤 悠介(東工大),  山本 修一郎(東工大),  菅原 聡(東工大),  

[発表日]2017-04-21
[資料番号]ICD2017-10
[依頼講演]HfO強誘電体薄膜を用いたトンネル接合メモリ(FTJ)の動作実証

山口 まりな(東芝),  藤井 章輔(東芝),  上牟田 雄一(東芝),  井野 恒洋(東芝),  高石 理一郎(東芝),  中崎 靖(東芝),  齋藤 真澄(東芝),  

[発表日]2017-04-21
[資料番号]ICD2017-16
[依頼講演]60nm CAAC-IGZO FETと65nm CMOSを組み合わせて作成した組み込みメモリとARM Cortex-M0コア

大貫 達也(半導体エネルギー研),  磯部 敦生(半導体エネルギー研),  安藤 善範(半導体エネルギー研),  岡本 悟(半導体エネルギー研),  加藤 清(半導体エネルギー研),  T R Yew(United Microelectronics Corporation),  Chen Bin Lin(United Microelectronics Corporation),  J Y Wu(United Microelectronics Corporation),  Chi Chang Shuai(United Microelectronics Corporation),  Shao Hui Wu(United Microelectronics Corporation),  James Myers(ARM),  Klaus Doppler(Nokia Technologies),  藤田 昌宏(東大),  山崎 舜平(半導体エネルギー研),  

[発表日]2017-04-21
[資料番号]ICD2017-17
[依頼講演]原子スイッチFPGAの高密度化とスケーラビリティ

辻 幸秀(NEC),  白 旭(NEC),  森岡 あゆ香(NEC),  宮村 信(NEC),  根橋 竜介(NEC),  阪本 利司(NEC),  多田 宗弘(NEC),  伴野 直樹(NEC),  岡本 浩一郎(NEC),  井口 憲幸(NEC),  波田 博光(NEC),  杉林 直彦(NEC),  

[発表日]2017-04-21
[資料番号]ICD2017-14
[依頼講演]高耐熱ポリマー固体電解質(TT-PSE)を用いた不揮発プログラマブルロジック向け高信頼性Cu原子スイッチ

岡本 浩一郎(NEC),  多田 宗弘(NEC),  伴野 直樹(NEC),  井口 憲幸(NEC),  波田 博光(NEC),  阪本 利司(NEC),  宮村 信(NEC),  辻 幸秀(NEC),  根橋 竜介(NEC),  森岡 あゆ香(NEC),  白 旭(NEC),  杉林 直彦(NEC),  

[発表日]2017-04-21
[資料番号]ICD2017-13