情報・システム-画像工学(開催日:2017/01/30)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]等電子トラップ技術によるオン電流増大に伴う相補型トンネルトランジスタ回路の性能向上

森 貴洋(産総研),  浅井 栄大(産総研),  服部 淳一(産総研),  福田 浩一(産総研),  大塚 慎太郎(産総研),  森田 行則(産総研),  大内 真一(産総研),  更田 裕司(産総研),  右田 真司(産総研),  水林 亘(産総研),  太田 裕之(産総研),  松川 貴(産総研),  

[発表日]2017-01-30
[資料番号]SDM2016-130
[招待講演]Ge/III-V族半導体を用いたトンネルFET技術

高木 信一(東大),  安 大煥(東大),  野口 宗隆(東大),  後藤 高寛(東大),  西 康一(東大),  金 閔洙(東大),  竹中 充一(東大),  

[発表日]2017-01-30
[資料番号]SDM2016-131
[招待講演]Experimental Study on Polarization-Limited Operation Speed of Negative Capacitance FET with Ferroelectric HfO2

小林 正治(東大),  上山 望(東大),  蒋 京珉(東大),  平本 俊郎(東大),  

[発表日]2017-01-30
[資料番号]SDM2016-132
[招待講演]サブ10 nm世代負性容量FinFETのデバイスシミュレーション

太田 裕之(産総研),  池上 勉(産総研),  服部 淳一(産総研),  福田 浩一(産総研),  右田 真司(産総研),  鳥海 明(東大),  

[発表日]2017-01-30
[資料番号]SDM2016-133
[招待講演]16/14nmノード以降における高速かつ高信頼性を有する混載フラッシュメモリ向けFinFET Split-Gate MONOS

津田 是文(ルネサス エレクトロニクス),  川嶋 祥之(ルネサス エレクトロニクス),  園田 賢一郎(ルネサス エレクトロニクス),  吉冨 敦司(ルネサス エレクトロニクス),  三原 竜善(ルネサス エレクトロニクス),  鳴海 俊一(ルネサス エレクトロニクス),  井上 真雄(ルネサス エレクトロニクス),  村中 誠志(ルネサス エレクトロニクス),  丸山 隆弘(ルネサス エレクトロニクス),  山下 朋弘(ルネサス エレクトロニクス),  山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス),  久本 大(日立),  

[発表日]2017-01-30
[資料番号]SDM2016-134
[招待講演]電圧トルクMRAM (VCM) 向け読み出し/書き込み回路と大容量キャッシュメモリへの応用

塩田 陽一(産総研),  野口 紘希(東芝),  池上 一隆(東芝),  安部 恵子(東芝),  藤田 忍(東芝),  野崎 隆行(産総研),  湯浅 新治(産総研),  鈴木 義茂(阪大),  

[発表日]2017-01-30
[資料番号]SDM2016-135
[招待講演]超低消費エネルギーと高集積性を併せ持つ電圧制御スピントロニクスメモリ

與田 博明(東芝),  下村 尚治(東芝),  大沢 裕一(東芝),  白鳥 聡志(東芝),  加藤 侑志(東芝),  井口 智明(東芝),  上国 裕三(東芝),  ブヤンダライ アルタンサガイ(東芝),  斉藤 好昭(東芝),  鴻井 克彦(東芝),  杉山 英行(東芝),  及川 壮一(東芝),  清水 真理子(東芝),  石川 瑞恵(東芝),  池上 一隆(東芝),  

[発表日]2017-01-30
[資料番号]SDM2016-136
[Invited Talk] General relationship for cation and anion doping effects on ferroelectric HfO2 formation

徐 倫(東大),  柴山 茂久(東大),  厳樫 一孝(東大),  西村 知紀(東大),  矢嶋 赳彬(東大),  右田 真司(産総研),  鳥海 明(東大),  

[発表日]2017-01-30
[資料番号]SDM2016-137
[招待講演]多様化するアナログ信号処理に向けた新規機能性受動素子

矢嶋 赳彬(東大),  西村 知紀(東大),  鳥海 明(東大),  

[発表日]2017-01-30
[資料番号]SDM2016-138