情報・システム-画像工学(開催日:2016/12/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
GaN自立基板上InAlN/AlN/GaNヘテロ構造に形成したNi/Auショットキー接合の電流-電圧特性

小谷 淳二(富士通研),  山田 敦史(富士通研),  石黒 哲郎(富士通研),  中村 哲一(富士通研),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-57,CPM2016-90,LQE2016-73
自立基板の劈開面に形成したn-GaNショットキー接触の評価

塩島 謙次(福井大),  永縄 萌(福井大),  三島 友義(法政大),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-60,CPM2016-93,LQE2016-76
キャリア数によるGaN HEMT素子のコラプス評価

大麻 浩平(東芝),  吉岡 啓(東芝),  齊藤 泰伸(東芝),  菊地 拓雄(東芝),  大黒 達也(東芝),  浜本 毅司(東芝),  杉山 亨(東芝),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-62,CPM2016-95,LQE2016-78
プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作

南條 拓真(三菱電機),  林田 哲郎(三菱電機),  小山 英寿(三菱電機),  今井 章文(三菱電機),  古川 彰彦(三菱電機),  山向 幹雄(三菱電機),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-63,CPM2016-96,LQE2016-79
界面顕微光応答法によるAu/Ni/n-GaNショットキー接触の電圧印加劣化の2次元評価

塩島 謙次(福井大),  村瀬 真悟(福井大),  前田 昌嵩(福井大),  三島 友義(法政大),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-58,CPM2016-91,LQE2016-74
電気化学加工技術を利用したAlGaN/GaNヘテロ構造の低損傷リセスエッチング

熊崎 祐介(北大),  植村 圭佑(北大),  佐藤 威友(北大),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-66,CPM2016-99,LQE2016-82
ラマン散乱分光法および赤外反射分光法によるGaN自立基板の評価

鐘ヶ江 一孝(京大),  金子 光顕(京大),  木本 恒暢(京大),  堀田 昌宏(京大),  須田 淳(京大),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-61,CPM2016-94,LQE2016-77
ホモエピタキシャル成長n型GaNショットキーバリアダイオードの順方向電流-電圧特性の温度依存性

前田 拓也(京大),  岡田 政也(住友電工),  上野 昌紀(住友電工),  山本 喜之(住友電工),  堀田 昌宏(京大),  須田 淳(京大),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-59,CPM2016-92,LQE2016-75
AlGaN/GaN HEMTの高耐圧・大電流化に関する検討

鈴木 雄大(福井大),  山崎 泰誠(福井大),  牧野 伸哉(福井大),  ジョエル アスバル(福井大),  徳田 博邦(福井大),  葛原 正明(福井大),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-64,CPM2016-97,LQE2016-80
三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制

鈴木 敦也(福井大),  ジョエル アスバル(福井大),  徳田 博邦(福井大),  葛原 正明(福井大),  

[発表日]2016-12-12
[資料番号]ED2016-65,CPM2016-98,LQE2016-81
半極性面上InGaN量子井戸レーザにおける導波路モードの制御による光学利得の向上

松浦 圭吾(金沢工大),  坂井 繁太(金沢工大),  山口 敦史(金沢工大),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-67,CPM2016-100,LQE2016-83
MOCVD法による凸凹表面p-GaN層の形成とInGaN/GaN MQW構造太陽電池への応用

森 拓磨(名工大),  三好 実人(名工大),  江川 孝志(名工大),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-68,CPM2016-101,LQE2016-84
m面サファイア基板上半極性AlGaN/AlNの結晶成長と量子井戸発光特性

大島 一晟(理研/埼玉大),  定 昌史(理研),  前田 哲利(理研),  鎌田 憲彦(埼玉大),  平山 秀樹(理研),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-69,CPM2016-102,LQE2016-85
極性面フリーなInGaNマルチファセット構造を用いた多波長発光の実現

松田 祥伸(京大),  船戸 充(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-70,CPM2016-103,LQE2016-86
クリーンプロセスによるAlNバルク結晶の成長

岸元 克浩(京大),  呉 珮岑(京大),  船戸 充(京大),  川上 養一(京大),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-71,CPM2016-104,LQE2016-87
紫外透明p型AlGaNコンタクト層を用いた高効率深紫外LEDの開発

美濃 卓哉(パナソニック),  平山 秀樹(理研),  高野 隆好(パナソニック),  後藤 浩嗣(パナソニック),  植田 充彦(パナソニック),  椿 健治(パナソニック),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-72,CPM2016-105,LQE2016-88
室温原子層堆積法によるTiO2チャネルTFTの試作と光センサへの応用

菊地 航(山形大),  三浦 正範(山形大),  鹿又 健作(山形大),  有馬 ボシル アハンマド(山形大),  久保田 繁(山形大),  廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-75,CPM2016-108,LQE2016-91
超大規模光電子融合チップのための基板構造およびモノリシック集積型GaN-μLED用駆動回路の開発

土山 和晃(豊橋技科大),  宇都宮 脩(豊橋技科大),  中川 翔太(豊橋技科大),  山根 啓輔(豊橋技科大),  関口 寛人(豊橋技科大),  岡田 浩(豊橋技科大),  若原 昭浩(豊橋技科大),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-73,CPM2016-106,LQE2016-89
ナノテクスチャと高屈折率ガラスを応用した有機薄膜太陽電池の光学設計に関する研究

久保田 繁(山形大),  原田 佳宜(山形大),  須藤 健成(早大),  鹿又 健作(山形大),  有馬 ボシールアハンマド(山形大),  水野 潤(早大),  廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-76,CPM2016-109,LQE2016-92
室温原子層堆積法を用いた人工ゼオライト作製と色素増感太陽電池への応用

今井 貴大(山形大),  三浦 正範(山形大),  鹿又 健作(山形大),  有馬 ボシール アハンマド(山形大),  久保田 繁(山形大),  廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2016-12-13
[資料番号]ED2016-77,CPM2016-110,LQE2016-93
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