情報・システム-画像工学(開催日:2016/11/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]SISPAD 2016レビュー (1)

園田 賢一郎(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2016-11-10
[資料番号]SDM2016-79
[招待講演]SiC トレンチ型DMOS(TED MOS)のチャネル特性に関する研究

手賀 直樹(日立),  久本 大(日立),  島 明生(日立),  嶋本 泰洋(日立),  

[発表日]2016-11-10
[資料番号]SDM2016-80
[招待講演]センサーネットワーク時代の低エネルギーSOIデバイスの展開可能性と見通し

大村 泰久(関西大),  

[発表日]2016-11-10
[資料番号]SDM2016-81
[招待講演]フリーキャリア密度に依存したGeのバンドギャップとフォノン周波数

株柳 翔一(東大),  鳥海 明(東大),  

[発表日]2016-11-10
[資料番号]SDM2016-82
[招待講演]ISFETの構造が感度に与える影響のシミュレーション

松澤 一也(東芝),  

[発表日]2016-11-10
[資料番号]SDM2016-83
a-Si pin太陽電池の自己無撞着シミュレーションとキャリアの捕獲生成過程の物理機構

鈴木 東(筑波大),  吉田 勝尚(東大),  佐野 伸行(筑波大),  

[発表日]2016-11-11
[資料番号]SDM2016-89
[招待講演]ワイドバンドギャップ半導体パワーデバイス開発に資するシミュレーション研究

望月 和浩(産総研),  

[発表日]2016-11-11
[資料番号]SDM2016-85
[招待講演]SISPAD 2016 レビュー (2)

鎌倉 良成(阪大),  

[発表日]2016-11-11
[資料番号]SDM2016-84
[招待講演]チャージポンピング法による単一MOS界面トラップの個別検出と解析

土屋 敏章(島根大),  

[発表日]2016-11-11
[資料番号]SDM2016-86
[招待講演]高品位Si,Ge基板の開発に資する第一原理計算

末岡 浩治(岡山県立大),  

[発表日]2016-11-11
[資料番号]SDM2016-87
ダブルゲート構造における自己無撞着モンテカルロシミュレーション

坂本 萌(筑波大),  六郷 泰昭(筑波大),  佐野 伸行(筑波大),  

[発表日]2016-11-11
[資料番号]SDM2016-88