情報・システム-画像工学(開催日:2015/04/16)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]アーカイブとエンタープライズストレージに向けた高信頼TLC NANDフラッシュソリッド・ステート・ドライブ

蜂谷 尚悟(中大),  田中丸 周平(中大),  德冨 司(中大),  土井 雅史(中大),  北村 雄太(中大),  山﨑 泉樹(中大),  小林 惇朗(中大),  竹内 健(中大),  

[発表日]2015-04-16
[資料番号]ICD2015-5
[依頼講演]車載MCUにおける-40~170℃動作可能なWrite Disturb問題スクリーニング回路を有する40 nm Dual-port、Two-port SRAM

横山 佳巧(ルネサス エレクトロニクス),  石井 雄一郎(ルネサス エレクトロニクス),  福田 達哉(ルネサス エレクトロニクス),  辻橋 良樹(ルネサス エレクトロニクス),  宮西 篤史(ルネサス エレクトロニクス),  朝山 忍(ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング),  前川 径一(ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング),  柴 和利(ルネサス セミコンダクタ マニュファクチュアリング),  新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2015-04-16
[資料番号]ICD2015-3
[パネル討論]クラウド時代の半導体メモリー技術

新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  宮地 幸祐(信州大),  高野 了成(産総研),  高木 健誠(サンディスク),  三輪 達(サンディスク),  

[発表日]2015-04-16
[資料番号]ICD2015-7
[招待講演]車載用途200MHz高速読出し動作および書込みスループット2.0MB/sを達成した28nm混載SG-MONOSフラッシュマクロの開発発

棟安 誠(ルネサス エレクトロニクス),  帯刀 恭彦(ルネサス エレクトロニクス),  中野 全也(ルネサス エレクトロニクス),  伊藤 孝(ルネサス エレクトロニクス),  河野 隆司(ルネサス エレクトロニクス),  野口 健二(ルネサス エレクトロニクス),  日高 秀人(ルネサス エレクトロニクス),  山内 忠昭(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2015-04-16
[資料番号]ICD2015-4
[依頼講演]自動調整型負ビット線方式による部分ライトアシスト回路を用いた28nm 512-kb 1-GHzデュアルポートSRAM

田中 信二(ルネサス エレクトロニクス),  石井 雄一郎(ルネサス エレクトロニクス),  薮内 誠(ルネサス エレクトロニクス),  佐野 聡明(ルネサス システムデザイン),  田中 浩司(ルネサス エレクトロニクス),  塚本 康正(ルネサス エレクトロニクス),  新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  佐藤 広利(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2015-04-16
[資料番号]ICD2015-2
[Invited Lecture] A Low-Power 64Gb MLC NAND-Flash Memory in 15nm CMOS Technology

酒向 万里生(東芝),  中陦 孝雄(東芝),  佐藤 順平(東芝),  村岡 一芳(東芝),  藤生 政樹(東芝),  河野 良洋(東芝),  中川 道雄(東芝),  増田 正美(東芝),  加藤 光司(東芝),  寺田 有里(東芝),  清水 佑樹(東芝),  本間 充祥(東芝),  鈴木 良尚(東芝),  渡辺 慶久(東芝),  山下 竜二(サンディスク),  

[発表日]2015-04-16
[資料番号]ICD2015-6
[依頼講演]20nmプロセスにおける高密度SRAMのワード線調整アシスト回路システム

藪内 誠(ルネサス エレクトロニクス),  塚本 康正(ルネサス エレクトロニクス),  森本 薫夫(ルネサス エレクトロニクス),  田中 美紀(ルネサス エレクトロニクス),  新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2015-04-16
[資料番号]ICD2015-1
[招待講演]伝送線路型結合器を用いた非接触メモリインタフェース

小菅 敦丈(慶大),  門本 淳一郎(慶大),  黒田 忠広(慶大),  

[発表日]2015-04-17
[資料番号]ICD2015-14
[招待講演]Ge欠損系超格子を用いたTopological switching random access memory (TRAM)

高浦 則克(超低電圧デバイス技研組合),  

[発表日]2015-04-17
[資料番号]ICD2015-8
[依頼講演]強誘電体キャパシタを用いた長期データ保持可能な低消費電力不揮発フリップフロップの構成

木村 啓明(ローム),  淵上 貴昭(ローム),  丸本 共治(ローム),  藤森 敬和(ローム),  和泉 慎太郎(神戸大),  川口 博(神戸大),  吉本 雅彦(神戸大),  

[発表日]2015-04-17
[資料番号]ICD2015-11
[依頼講演]位相分割多重コイルを用いたプロセッサ-メモリ間誘導結合インタフェース

竹 康宏(慶大),  黒田 忠広(慶大),  

[発表日]2015-04-17
[資料番号]ICD2015-15
[チュートリアル講演]不揮発ロジックインメモリアーキテクチャとその低電力VLSIシステムへの応用

羽生 貴弘(東北大),  鈴木 大輔(東北大),  望月 明(東北大),  夏井 雅典(東北大),  鬼沢 直哉(東北大),  杉林 直彦(NEC),  池田 正二(東北大),  遠藤 哲郎(東北大),  大野 英男(東北大),  

[発表日]2015-04-17
[資料番号]ICD2015-12
[招待講演]エネルギー効率を1800倍高めたCMOSアニーリングを用いた組み合わせ最適化問題向け20kスピンイジングチップ

山岡 雅直(日立),  吉村 地尋(日立),  林 真人(日立),  奥山 拓哉(日立),  青木 秀貴(日立),  水野 弘之(日立),  

[発表日]2015-04-17
[資料番号]ICD2015-13
[招待講演]Vt キャンセル書込方法を用いた結晶性In-Ga-Zn Oxide FETによる128kb 4bit/cell 不揮発性メモリ

松嵜 隆徳(半導体エネルギー研),  大貫 達也(半導体エネルギー研),  長塚 修平(半導体エネルギー研),  井上 広樹(半導体エネルギー研),  石津 貴彦(半導体エネルギー研),  家田 義紀(半導体エネルギー研),  坂倉 真之(半導体エネルギー研),  熱海 知昭(半導体エネルギー研),  塩野入 豊(半導体エネルギー研),  加藤 清(半導体エネルギー研),  奥田 高(半導体エネルギー研),  山元 良高(半導体エネルギー研),  藤田 昌宏(東大),  小山 潤(半導体エネルギー研),  山崎 舜平(半導体エネルギー研),  

[発表日]2015-04-17
[資料番号]ICD2015-9
[招待講演]キャッシュメモリ向け垂直磁化型STT-MRAMの低電力化技術

野口 紘希(東芝),  池上 一隆(東芝),  櫛田 桂一(東芝),  安部 恵子(東芝),  板井 翔吾(東芝),  高谷 聡(東芝),  田中 千加(東芝),  鎌田 親義(東芝),  天野 実(東芝),  北川 英二(東芝),  下村 尚治(東芝),  川澄 篤(東芝),  原 浩幸(東芝),  伊藤 順一(東芝),  藤田 忍(東芝),  

[発表日]2015-04-17
[資料番号]ICD2015-10