基礎・境界/NOLTA-VLSI設計技術(開催日:2006/09/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2006/9/19
[資料番号]
目次

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[発表日]2006/9/19
[資料番号]
動的再構成メモリを用いた遺伝的アルゴリズム専用プロセッサ(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

塚原 彰彦,  金杉 昭徳,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-39,SDM2006-160
離散的な不純物の扱いに関する基礎的検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

芦澤 芳夫,  岡 秀樹,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-40,SDM2006-161
ばらつき因子の大域的な同定と統計的ワーストケースモデルの生成方法について(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

永久 克己,  岡垣 健,  谷沢 元昭,  石川 清志,  土屋 修,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-41,SDM2006-162
ランダム・テレグラフ・シグナルによるMOSFETのしきい値電圧変動量に対する離散不純物効果のモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

園田 賢一郎,  石川 清志,  栄森 貴尚,  土屋 修,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-42,SDM2006-163
3次元プロセスデバイスシミュレーションによるBulk-FinFETの駆動電流の改善(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

金村 貴永,  泉田 貴士,  青木 伸俊,  近藤 正樹,  伊藤 早苗,  遠田 利之,  岡野 王俊,  川崎 博久,  八木下 淳史,  金子 明生,  稲葉 聡,  中村 光利,  石丸 一成,  須黒 恭一,  江口 和弘,  石内 秀美,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-43,SDM2006-164
High-k Gate絶縁膜を持つUnderlap Single-Gate極薄SOI MOSFETのデバイス特性とばらつきの抑制(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

吉岡 由雅,  大村 泰久,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-44,SDM2006-165
32nmノードMOSFETのための非対称Raised Source/Drain Extension構造の提案 : 究極のプレーナーMOSFET(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

井本 努,  舘下 八州志,  小林 敏夫,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-45,SDM2006-166
極薄シリコン層を有するSOI MOSFETにおける(001)面及び、(111)面のフォノン散乱電子移動度のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

山村 毅,  佐藤 伸吾,  大村 泰久,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-46,SDM2006-167
ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

土屋 英昭,  藤井 一也,  森 隆志,  三好 旦六,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-47,SDM2006-168
歪領域を含むシリコンナノ構造におけるバリスティック電流の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

三成 英樹,  森 伸也,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-48,SDM2006-169
非平衡グリーン関数に基づくナノスケールデバイスの量子輸送モデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

フィトリアワン ヘルミー,  相馬 聡文,  小川 真人,  三好 旦六,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-49,SDM2006-170
反転層量子化サブバンドとチャネル方向依存性を考慮した歪Si-MOSFETのフルバンドモンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

羽根 正巳,  池澤 健夫,  河田 道人,  江崎 達也,  山本 豊二,  

[発表日]2006/9/19
[資料番号]VLD2006-50,SDM2006-171
複写される方へ

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[発表日]2006/9/19
[資料番号]
Notice about photocopying

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[発表日]2006/9/19
[資料番号]
奥付

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[発表日]2006/9/19
[資料番号]