基礎・境界/NOLTA-VLSI設計技術(開催日：2004/09/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2004/9/21
[資料番号]
目次

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[発表日]2004/9/21
[資料番号]
分子動力学シミュレーションによるプラズマエッチング表面反応機構の解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

浜口 智志,  山田 英明,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-38,SDM2004-162
三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける解析モデルイオン注入計算高速化(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

望月 麻理恵,  内田 哲也,  竹中 正浩,  伊藤 早苗,  石川 英明,  藤永 正人,  和田 哲典,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-39,SDM2004-163
ITRS2003にしたがった微細化による不純物ばらつきの解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

芦澤 芳夫,  岡 秀樹,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-40,SDM2004-164
極薄SOI MOSFETへのhigh-k材料導入法に関する検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

川本 敏貴,  小宮 健治,  大村 泰久,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-41,SDM2004-165
3次元モンテカルロ・シミュレーションによるマルチゲートMOSFETの検討(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

田辺 亮,  山崎 隆浩,  芦澤 芳夫,  岡 秀樹,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-42,SDM2004-166
MOSFET反転層移動度のストレス依存性評価(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

岡垣 健,  谷沢 元昭,  内田 哲也,  国清 辰也,  園田 賢一郎,  五十嵐 元繁,  石川 清志,  小谷 教彦,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-43,SDM2004-167
Gamovの方法を用いたMOSFETにおけるゲートトンネル電流の計算(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

岡本 真輝,  竹田 裕,  森 伸也,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-44,SDM2004-168
量子格子気体法によるデバイス内部の電子波伝搬解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

酒井 敦,  鎌倉 良成,  谷口 研二,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-45,SDM2004-169
運動論的観点からの準弾道電子輸送の理論的考察(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

佐野 伸行,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-46,SDM2004-170
ナノスケールDG-MOSFETの擬似バリスティック量子輸送特性(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

土屋 英昭,  堀野 元気,  淺沼 昭彦,  三好 旦六,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-47,SDM2004-171
分子動力学/アンサンブルモンテカルロ法による極微細n-i-nダイオードの電流解析(<特集>プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

鎌倉 良成,  谷口 研二,  

[発表日]2004/9/21
[資料番号]VLD2004-48,SDM2004-172
複写される方へ

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[発表日]2004/9/21
[資料番号]
奥付

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[発表日]2004/9/21
[資料番号]