基礎・境界/NOLTA-VLSI設計技術(開催日：2001/09/21)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2001/9/21
[資料番号]
目次

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[発表日]2001/9/21
[資料番号]
シミュレーションによるシリコン酸化膜の成長機構に関する検討

南條 健史,  小谷 泰実,  大村 泰久,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-73,SDM2001-147
遺伝的アルゴリズムを用いたパラメータ抽出の検討

和田 哲典,  金村 貴永,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-74,SDM2001-148
CMPモデルベースのダミーパターン設計システム

太田 敏行,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-75,SDM2001-149
三次元プロセスシミュレータHySyProSにおける酸化計算部の開発

内田 哲也,  鈴木 腕,  竹中 正浩,  石川 英明,  伊藤 早苗,  佃 栄次,  天川 博隆,  西 謙二,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-76,SDM2001-150
Flashのデバイス・シミュレーション技術

松沢 一也,  石原 貴光,  間 博顕,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-77,SDM2001-151
簡易逆短チャネル効果モデルの検討 : 実デバイスへの適用

林 洋一,  三浦 規之,  小松原 弘毅,  望月 麻理恵,  福田 浩一,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-78,SDM2001-152
波束の運動に基づいた量子輸送理論

森藤 正人,  小野 峰和,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-79,SDM2001-153
量子補正力を考慮したモンテカルロデバイスシミュレーション

土屋 英昭,  ウィンステッド ブライアン,  ラバイオリ ウンベルト,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-80,SDM2001-154
SOI MOSFETにおける2次元電子ガスのフルバンド・モンテカルロ・シミュレーション

竹田 裕,  森 伸也,  浜口 智尋,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-81,SDM2001-155
歪みSiのバンド構造の経験的擬ポテンシャル法による解析

中辻 広志,  鎌倉 良成,  谷口 研二,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-82,SDM2001-156
不純物に起因するポテンシャル揺らぎの電子移動度への影響

来栖 貴史,  佐野 伸行,  松沢 一也,  広木 彰,  中山 範明,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-83,SDM2001-157
極薄酸化膜の直接トンネリング電流計算における複素バンド構造モデルの重要性

酒井 敦,  鎌倉 良成,  森藤 正人,  谷口 研二,  

[発表日]2001/9/21
[資料番号]VLD2001-84, SDM2001-158
[OTHERS]

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[発表日]2001/9/21
[資料番号]