基礎・境界/NOLTA-VLSI設計技術(開催日：2000/09/15)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2000/9/15
[資料番号]
目次

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[発表日]2000/9/15
[資料番号]
微細MOSFETのスケーリング理論

鈴木 邦広,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-57,SDM2000-130
MOSFET開発におけるTCAD適用手法

小松原 弘毅,  三浦 規之,  林 洋一,  福田 浩一,  谷島 司,  吉田 匡宏,  若山 恵一,  西谷 明人,  長友 良樹,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-58,SDM2000-131
TCADを用いた統計的手法による0.12μmCMOSデバイスの設計

福田 智之,  本澤 純,  和田 真一郎,  森 和孝,  佐藤 久子,  国友 久彰,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-59,SDM2000-132
'SBB' SOI MOSFETの設計指針とその性能予測

船越 七郎,  寺内 衛,  寺田 和夫,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-60,SDM2000-133
advancing front法を用いた三次元格子生成における安定性の向上

田中 克彦,  野津 明男,  羽根 正巳,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-61,SDM2000-134
サブ100nmに向けたModeling & simulationの挑戦

小谷 教彦,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-62,SDM2000-135
濃度勾配法による量子効果を導入したデバイス・シミュレーション

松沢 一也,  高木 信一,  高柳 万里子,  谷本 弘吉,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-63,SDM2000-136
量子効果およびドリフト拡散を考慮したデバイスシミュレーション

花尻 達郎,  新里 昌弘,  鳥谷部 達,  菅野 卓雄,  齋藤 晶,  赤木 与志郎,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-64,SDM2000-137
Sub-100nm MOSFETにおけるソース/ドレイン電荷分配に対する弾道輸送キャリアの寄与

岡垣 健,  田中 聖康,  上野 弘明,  三浦 道子,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-65,SDM2000-138
ゲート不純物の不完全イオン化とバンドギャップナローウィングがゲートからのトンネル電流に与える影響

渡辺 浩志,  高木 信一,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-66,SDM2000-139
酸化膜中のホール輸送を取り入れた酸化膜破壊パーコレーションシミュレーション

江崎 達也,  山本 豊二,  中里 博紀,  羽根 正巳,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-67,SDM2000-140
ストレス条件とSILC特性の関係についての実験的考察とシミュレーション結果によるメカニズムの検討

小宮 健治,  大村 泰久,  

[発表日]2000/9/15
[資料番号]VLD2000-68,SDM2000-141
[OTHERS]

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[発表日]2000/9/15
[資料番号]