基礎・境界/NOLTA-VLSI設計技術(開催日:1995/09/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]1995/9/14
[資料番号]
目次

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[発表日]1995/9/14
[資料番号]
Si MOSFETのしきい値電圧付近における電子移動度への遮蔽及び鏡像効果の解析

大倉 康幸,  木村 紳一郎,  井原 茂男,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
ドレイン電流成分に基づくMOSFET閾値電圧抽出

青山 一生,  田沢 聰,  富沢 雅彰,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
SOIMOSFETの基板浮遊効果に及ぼすキャリア消滅の影響についての解析

黄 俐昭,  松本 比呂志,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
インバースモデリング技術を用いたMOSFETチャネルプロファイル抽出法の検討

林 洋一,  黒田 茂樹,  甲斐 和彦,  劉 国林,  福田 浩一,  西 謙二,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
輸送パラメータの組成依存性を考慮したHBTのエネルギー輸送モデル

中谷 昭夫,  岡田 忠之,  堀尾 和重,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
表面準位を考慮したGaAs MESFETの2次元定常および過渡シミュレーション

山田 富子,  佐藤 勝彦,  堀尾 和重,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
デバイスシミュレーションのための陽解法の改良

倉田 衛,  中村 慎,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
高精度TVDスキームを用いたデバイスシュミレーションの試み

渡部 勝博,  飯塚 幹夫,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
統合シミュレーションシステムUNISAS-Xの開発

三輪 佳子,  福田 浩一,  坂倉 宏,  林 洋一,  甲斐 和彦,  黒田 茂樹,  西 謙二,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
ユーザーフレンドリーなGUIを有する3次元配線容量/電流密度シミュレーションシステムの開発

向井 幹雄,  巽 孝明,  中内 庸雅,  小林 岳史,  小山 一英,  小松 康俊,  Bauer R.,  Rieger G.,  Selberherr S.,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
集積回路内の非均質媒体中の伝送線路における誘導性結合を考慮した雑音の評価

三堂 哲寿,  浅田 邦博,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
デバイス/回路シミュレータの結合

石川 清志,  園田 賢一郎,  永久 克己,  谷沢 元昭,  小谷 教彦,  三好 寛和,  

[発表日]1995/9/14
[資料番号]
[OTHERS]

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[発表日]1995/9/14
[資料番号]