基礎・境界/NOLTA-信頼性(開催日:2018/03/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
室温原子層堆積法とその応用

廣瀬 文彦(山形大),  

[発表日]2018-03-08
[資料番号]EMD2017-71,MR2017-42,SCE2017-42,EID2017-44,ED2017-116,CPM2017-136,SDM2017-116,ICD2017-121,OME2017-65
薄膜デバイスを用いたニューロモルフィックシステム

木村 睦(龍谷大),  山根 弘樹(奈良先端大),  中島 康彦(奈良先端大),  

[発表日]2018-03-08
[資料番号]EMD2017-74,MR2017-45,SCE2017-45,EID2017-47,ED2017-119,CPM2017-139,SDM2017-119,ICD2017-124,OME2017-68
[招待講演]Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体高周波デバイスの現状と展望

原 直紀(富士通/富士通研),  高橋 剛(富士通/富士通研),  川野 陽一(富士通/富士通研),  中舍 安宏(富士通/富士通研),  

[発表日]2018-03-08
[資料番号]EMD2017-73,MR2017-44,SCE2017-44,EID2017-46,ED2017-118,CPM2017-138,SDM2017-118,ICD2017-123,OME2017-67
微摺動機構を用いた電気接点の劣化現象

越田 圭治(TMCシステム),  和田 真一(TMCシステム),  澤 孝一郎(日本工大),  

[発表日]2018-03-08
[資料番号]EMD2017-75,MR2017-46,SCE2017-46,EID2017-48,ED2017-120,CPM2017-140,SDM2017-120,ICD2017-125,OME2017-69
垂直磁気トンネル接合に用いるCo2FeSi/D022-Mn3Ge二層構造

薮下 大嗣(東工大),  松下 直輝(東工大),  飯沼 真優(東工大),  高村 陽太(東工大),  園部 義明(サムソン),  中川 茂樹(東工大),  

[発表日]2018-03-08
[資料番号]EMD2017-77,MR2017-48,SCE2017-48,EID2017-50,ED2017-122,CPM2017-142,SDM2017-122,ICD2017-127,OME2017-71
[招待講演]FePt合金系エピタキシャル薄膜の結晶配向と表面平坦性の制御

二本 正昭(中大),  大竹 充(中大),  

[発表日]2018-03-08
[資料番号]EMD2017-78,MR2017-49,SCE2017-49,EID2017-51,ED2017-123,CPM2017-143,SDM2017-123,ICD2017-128,OME2017-72
静電容量センシング技術を用いたスマートステアリングの開発

小野 裕太郎(九大),  大木 奏人(九大),  森本 祐平(九大),  服部 励治(九大),  渡邊 雅之(マツダ),  道田 奈々江(マツダ),  米澤 泰延(マツダ),  佐藤 大地(マツダ),  西川 一男(マツダ),  

[発表日]2018-03-08
[資料番号]EMD2017-76,MR2017-47,SCE2017-47,EID2017-49,ED2017-121,CPM2017-141,SDM2017-121,ICD2017-126,OME2017-70
超伝導信号処理による極低温検出器の高度化

明連 広昭(埼玉大),  

[発表日]2018-03-08
[資料番号]EMD2017-72,MR2017-43,SCE2017-43,EID2017-45,ED2017-117,CPM2017-137,SDM2017-117,ICD2017-122,OME2017-66