基礎・境界/NOLTA-情報理論(開催日:2021/08/17)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]誤り訂正大規模量子コンピュータに実装可能な高速かつ低ばらつきなシリコンスピン量子ビット動作を実現する埋め込み型微小磁石の集積技術

飯塚 将太(産総研),  加藤 公彦(産総研),  八木下 淳史(産総研),  浅井 栄大(産総研),  上田 哲也(産総研),  岡 博史(産総研),  服部 淳一(産総研),  池上 努(産総研),  福田 浩一(産総研),  森 貴洋(産総研),  

[発表日]2021-08-17
[資料番号]SDM2021-30,ICD2021-1
[招待講演]社会システム最適化に向けたチップ間接続による144kビットCMOSアニーリングプロセッサの開発

竹本 享史(日立),  山本 佳生(日立),  吉村 千尋(日立),  真下 まゆ美(日立),  山岡 雅直(日立),  

[発表日]2021-08-17
[資料番号]SDM2021-31,ICD2021-2
パルス周波数変調ピクセルを有する画素内符号認識向けToFイメージセンサの設計と評価

渡辺 直(東大),  池田 誠(東大),  

[発表日]2021-08-17
[資料番号]SDM2021-34,ICD2021-5
ToFイメージセンサーの測距範囲拡張向け移相器の設計と評価

? 定宇(東大),  池田 誠(東大),  

[発表日]2021-08-17
[資料番号]SDM2021-35,ICD2021-6
[招待講演]領域別に適正露光制御可能な高ダイナミックレンジ1型_17Mpixel_1000fps積層CMOSイメージセンサ

村田 寛信(ニコン),  平田 友希(ニコン),  松田 英明(ニコン),  手塚 洋二郎(ニコン),  綱井 史郎(ニコン),  

[発表日]2021-08-17
[資料番号]SDM2021-33,ICD2021-4
Approximation of Non-Linear Function for Hardware Implementation of Echo-State-Network

Amartuvshin Bayasgalan(東大),  Makoto Ikeda(東大),  

[発表日]2021-08-17
[資料番号]SDM2021-32,ICD2021-3
[招待講演]低電圧動作・低温プロセス・高エンデュランスの極薄膜HfO2系強誘電体の実証

トープラサートポン カシディット(東大),  田原 建人(東大),  彦坂 幸信(富士通セミコンダクターメモリソリューション),  中村 亘(富士通セミコンダクターメモリソリューション),  齋藤 仁(富士通セミコンダクターメモリソリューション),  竹中 充(東大),  高木 信一(東大),  

[発表日]2021-08-18
[資料番号]SDM2021-38,ICD2021-9
[招待講演]ソースフォロワ読み出しおよびチャージシェアリングにより積和演算を行う電圧センス型FeFET CiM

松井 千尋(東大),  トープラサートポン カシディット(東大),  高木 信一(東大),  竹内 健(東大),  

[発表日]2021-08-18
[資料番号]SDM2021-37,ICD2021-8
シリアル-パラレル形モンゴメリ乗算器の性能評価

壷内 博幸(琉球大),  金城 光永(琉球大),  島袋 勝彦(琉球大),  

[発表日]2021-08-18
[資料番号]SDM2021-40,ICD2021-11
[招待講演]情報セキュリティのためのラッチ形静的および動的乱数発生回路

篠原 尋史(早大),  劉 昆洋(早大),  張 瑞琳(早大),  王 興宇(早大),  

[発表日]2021-08-18
[資料番号]SDM2021-42,ICD2021-13
[招待講演]タスク分離型制御のASIL D向け機能安全と60.4TOPS、13.8TOPS/WのCNNアクセラレータを備える12nm自動運転プロセッサ

松原 勝重(ルネサス エレクトロニクス),  Lieske Hanno(ルネサス エレクトロニクス),  木村 基(Renesas Electronics Europe),  中村 淳(ルネサス エレクトロニクス),  小池 学(ルネサス エレクトロニクス),  寺島 和昭(ルネサス エレクトロニクス),  森川 俊(ルネサス エレクトロニクス),  堀田 義彦(ルネサス エレクトロニクス),  入田 隆宏(ルネサス エレクトロニクス),  望月 誠二(ルネサス エレクトロニクス),  浜崎 博幸(ルネサス エレクトロニクス),  亀井 達也(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2021-08-18
[資料番号]SDM2021-39,ICD2021-10
開放交流電圧が10Vを超える静電発電素子から1Vトランジスタだけで直流1Vに変換するインターフェース回路の設計

石田 遥祐(静岡大),  丹沢 徹(静岡大),  

[発表日]2021-08-18
[資料番号]SDM2021-41,ICD2021-12
[招待講演]ハフニウム系強誘電体薄膜を用いた1T1R型アレイを使ったアナログインメモリコンピューティング

齋藤 大輔(ソニー),  小林 俊之(ソニー),  古賀 洋貴(ソニー),  周藤 悠介(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  奥野 潤(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  小西 健太(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  塚本 雅則(ソニー),  大栗 一敦(ソニー),  梅林 拓(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  江崎 孝之(ソニー),  

[発表日]2021-08-18
[資料番号]SDM2021-36,ICD2021-7
高速非同期逐次比較型AD変換器におけるサイドチャネル漏洩特性の評価

高橋 亮蔵(神戸大),  門田 和樹(神戸大),  三木 拓司(神戸大),  永田 真(神戸大),  

[発表日]2021-08-18
[資料番号]SDM2021-43,ICD2021-14