基礎・境界/NOLTA-情報理論(開催日:2018/08/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]電池駆動されるIoTデバイス向け電源監視技術

川崎 健一(富士通研),  長田 潤一(富士通研),  中本 裕之(富士通研),  

[発表日]2018-08-07
[資料番号]SDM2018-34,ICD2018-21
[招待講演]慣性センサの超低消費電力化に向けたCMOS混載SiGe-MEMS技術の開発

富澤 英之(東芝),  久留井 慶彦(東芝),  秋田 一平(産総研),  藤本 明(東芝),  齋藤 友博(東芝),  小島 章弘(東芝),  柴田 英毅(東芝),  

[発表日]2018-08-07
[資料番号]SDM2018-29,ICD2018-16
[招待講演]ミニマルファブとメガファブを併用したハイブリッドプロセスによるSOI-CMOSの作製及び電気特性評価

柳 永勛(産総研),  田中 宏幸(産総研),  古賀 和博(MINIMAL),  佐藤 和重(MINIMAL),  クンプアン ソマワン(産総研),  長尾 昌善(産総研),  松川 貴(産総研),  原 史朗(産総研),  

[発表日]2018-08-07
[資料番号]SDM2018-30,ICD2018-17
[招待講演]エネルギーハーベスティングBeat Sensorと応用の可能性

石橋 孝一郎(電通大),  

[発表日]2018-08-07
[資料番号]SDM2018-27,ICD2018-14
0.6V動作9bitデジタル出力PWM差分演算回路

小嶋 文也(山形大),  原田 知親(山形大),  

[発表日]2018-08-07
[資料番号]SDM2018-32,ICD2018-19
A 65nm SOTB Based-On Code-Modulated Synchronized-OOK Transmitter for Normally-Off Wireless Sensor Networks

Van-Trung Nguyen(The UEC),  Ryo Ishikawa(The UEC),  Koichiro Ishibashi(The UEC),  

[発表日]2018-08-07
[資料番号]SDM2018-33,ICD2018-20
急峻なSSを持つ"PN-Body Tied SOI-FET"を使った極低電圧整流実験

百瀬 駿(金沢工大),  井田 次郎(金沢工大),  山田 拓弥(金沢工大),  森 貴之(金沢工大),  伊東 健治(金沢工大),  石橋 孝一郎(電通大),  新井 康夫(高エネルギー加速器研究機構),  

[発表日]2018-08-07
[資料番号]SDM2018-31,ICD2018-18
FDSOIプロセスにおけるスタック構造を用いたNMOSおよびPMOSトランジスタのソフトエラー耐性の実測による比較

山田 晃大(京都工繊大),  古田 潤(京都工繊大),  小林 和淑(京都工繊大),  

[発表日]2018-08-07
[資料番号]SDM2018-28,ICD2018-15
FPGA搭載プロセッサのダイ温度からの消費電力推定

金子 博昭(東京電機大),  金杉 昭徳(東京電機大),  

[発表日]2018-08-07
[資料番号]SDM2018-35,ICD2018-22
3D-NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた新しい積層型論理回路の研究

鈴木 章矢(湘南工科大),  渡辺 重佳(湘南工科大),  

[発表日]2018-08-08
[資料番号]SDM2018-43,ICD2018-30
[依頼講演]パスゲートトランジスタの対称性を向上した28nmHKMG 10TデュアルポートSRAMセル

石井 雄一郎(ルネサス エレクトロニクス),  田中 美紀(ルネサス エレクトロニクス),  藪内 誠(ルネサス エレクトロニクス),  澤田 陽平(ルネサス エレクトロニクス),  田中 信二(ルネサス エレクトロニクス),  新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  Tien Yu Lu(ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス),  Chun Hsien Huang(ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス),  Shou Sian Chen(ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス),  Yu Tse Kuo(ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス),  Ching Cheng Lung(ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス),  Osbert Cheng(ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス),  

[発表日]2018-08-08
[資料番号]SDM2018-40,ICD2018-27
[招待講演]原子/イオン移動型素子を用いたニューロモルフィック動作

大野 武雄(大分大),  

[発表日]2018-08-08
[資料番号]SDM2018-38,ICD2018-25
3D NANDフラッシュメモリの製造技術を用いた再構成可能なシステムLSIの設計法の提案

渡辺 重佳(湘南工科大),  

[発表日]2018-08-08
[資料番号]SDM2018-42,ICD2018-29
[招待講演]酸化物材料を用いた抵抗変化素子の研究動向

島 久(産総研),  高橋 慎(産総研),  内藤 泰久(産総研),  秋永 広幸(産総研),  

[発表日]2018-08-08
[資料番号]SDM2018-36,ICD2018-23
デジタルICチップにおける電源ノイズの評価及び解析

地家 幸佑(神戸大),  月岡 暉裕(神戸大),  澤田 凌兵(神戸大),  渡辺 航(神戸大),  三浦 典之(神戸大),  永田 真(神戸大),  

[発表日]2018-08-08
[資料番号]SDM2018-39,ICD2018-26
[招待講演]組合せ最適化問題に適したCMOSアニーリングマシン

山岡 雅直(日立),  

[発表日]2018-08-08
[資料番号]SDM2018-41,ICD2018-28
Understanding Temperature Effect on Subthreshold Slope Variability in Bulk and SOTB MOSFETs

高 爽(東大),  水谷 朋子(東大),  竹内 潔(東大),  小林 正治(東大),  平本 俊郎(東大),  

[発表日]2018-08-08
[資料番号]SDM2018-37,ICD2018-24
[招待講演]28nm不揮発プログラマブルロジックに向けたCu原子スイッチ技術の開発

根橋 竜介(NEC),  伴野 直樹(NEC),  宮村 信(NEC),  森岡 あゆ香(NEC),  白 旭(NEC),  岡本 浩一郎(NEC),  井口 憲幸(NEC),  沼田 秀昭(NEC),  波田 博光(NEC),  杉林 直彦(NEC),  阪本 利司(NEC),  多田 宗弘(NEC),  

[発表日]2018-08-09
[資料番号]SDM2018-51,ICD2018-38
[招待講演]容量結合方式による非接触・無拘束マルチバイタルセンシング

植野 彰規(東京電機大),  

[発表日]2018-08-09
[資料番号]SDM2018-45,ICD2018-32
SRAMの安定性自己修復手法における複数回ストレス印加の効果

水谷 朋子(東大),  竹内 潔(東大),  更屋 拓哉(東大),  小林 正治(東大),  平本 俊郎(東大),  

[発表日]2018-08-09
[資料番号]SDM2018-49,ICD2018-36
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