エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2023/01/30)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]セル面積極小化に向けたIGZO/Ge/2Si異種チャネル3次元集積型6T SRAMの開発

張 文馨(産総研),  

[発表日]2023-01-30
[資料番号]SDM2022-79
[招待講演]高耐圧CAAC-IGZO FETと0.06μm2の酸化ハフニウム系強誘電体材料を用いたデータ書き換え時間が10n秒のFeRAM

大嶋 和晃(半導体エネルギー研),  遠藤 正己(半導体エネルギー研),  沼田 至優(半導体エネルギー研),  恵木 勇司(半導体エネルギー研),  井坂 史人(半導体エネルギー研),  大野 敏和(半導体エネルギー研),  手塚 祐朗(半導体エネルギー研),  濱田 俊樹(半導体エネルギー研),  古谷 一馬(半導体エネルギー研),  津田 一樹(半導体エネルギー研),  松嵜 隆徳(半導体エネルギー研),  大貫 達也(半導体エネルギー研),  村川 努(半導体エネルギー研),  國武 寛司(半導体エネルギー研),  小林 正治(東大),  山﨑 舜平(半導体エネルギー研),  

[発表日]2023-01-30
[資料番号]SDM2022-80
[招待講演]10^7以上の書き換え耐性のあるはんだリフロー工程対応のeFlash用25nmiPMA型Hexa-MTJ

永沼 博(東北大),  

[発表日]2023-01-30
[資料番号]SDM2022-81
[招待講演]RonAと逆導通信頼性のトレードオフ改善を実現する、SiC-MOSFETにおける効果的なSBD内蔵構造

朝羽 俊介(東芝D&S),  古川 大(東芝D&S),  楠本 雄司(東芝D&S),  飯島 良介(東芝),  河野 洋志(東芝D&S),  

[発表日]2023-01-30
[資料番号]SDM2022-82
[招待講演]Ge2Sb2Te3S2を用いた不揮発性相変化中赤外光位相シフタ

宮武 悠人(東大),  牧野 孝太郎(産総研),  富永 淳二(産総研),  宮田 典幸(産総研),  中野 隆志(産総研),  岡野 誠(産総研),  トープラサートポン カシディット(東大),  高木 信一(東大),  竹中 充(東大),  

[発表日]2023-01-30
[資料番号]SDM2022-83
[招待講演]未来のテラヘルツ応用のための共鳴トンネルダイオード発振器

鈴木 左文(東工大),  

[発表日]2023-01-30
[資料番号]SDM2022-84