エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2022/10/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]エックス線光学素子のニーズ

矢代 航(東北大),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-54
[招待講演]紙の基板を用いた有機強誘電体トランジスタの作製と有機太陽電池への応用

朴 炳垠(ソウル市立大),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-60
強誘電体BiFeO3薄膜表面の評価と分析

今泉 文伸(小山高専),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-58
[招待講演]表面熱析出法を用いた単原子層h-BN薄膜/LaB6ヘテロ構造の作製とその評価

長岡 克己(物質・材料研究機構),  相澤 俊(物質・材料研究機構),  大見 俊一郎(物質・材料研究機構),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-57
CrSiC薄膜抵抗体の微細構造が電気特性に与える影響

伊藤 望(ルネサス エレクトロニクス),  前川 和義(ルネサス エレクトロニクス),  高橋 裕治(ルネサス エレクトロニクス),  利根川 丘(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-59
A study on low-voltage operation of pentacene-based floating-gate memory utilizing Ar/N2-plasma nitridation with N-doped LaB6 metal and high-k LaBxNy insulator

ホン ウンギ(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-61
次世代メモリ用薄膜の統計的解析を行う高精度・広範囲抵抗測定技術

光田 薫未(東北大),  天満 亮介(東北大),  間脇 武蔵(東北大),  黒田 理人(東北大),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-55
[招待講演]CO2熱処理によるSiC MOSFETの信頼性向上

細井 卓治(関西学院大),  志村 考功(阪大),  渡部 平司(阪大),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-62
強誘電性ノンドープHfO2薄膜を用いたMFSFETのしきい値電圧制御に関する検討

田沼 将一(東工大),  Joong-Won Shin(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-63
A study on threshold voltage control of MFSFET with ultrathin ferroelectric nondoped HfO2 gate insulator for analog memory applications

Joong-Won Shin(東工大),  田沼 将一(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2022-10-19
[資料番号]SDM2022-56