エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2021/01/28)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]自発分極とトラップ電荷の分離抽出に基づく強誘電HfO2-FeFETにおけるVthウインドウ及び信頼性決定要因の解析

市原 玲華(キオクシア),  

[発表日]2021-01-28
[資料番号]SDM2020-49
[招待講演]ダイヤモンド半導体の現状

梅沢 仁(産総研),  

[発表日]2021-01-28
[資料番号]SDM2020-50
[招待講演]CMOS裏面埋設配線による電源供給網と電源容量の形成およびセキュリティ向け三次元積層チップへの応用

門田 和樹(神戸大),  

[発表日]2021-01-28
[資料番号]SDM2020-51
[招待講演]InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製

冨岡 克広(北大),  蒲生 浩憲(北大),  本久 順一(北大),  福井 孝志(北大),  

[発表日]2021-01-28
[資料番号]SDM2020-52
[招待講演]プラズマ曝露中に確率的ラテラル散乱によって導入されるシリコン中の欠陥が超低リーク電流デバイスに与える影響の評価

佐藤 好弘(パナソニック),  山田 隆善(パナソニック),  西村 佳壽子(パナソニック),  山崎 雅之(パナソニック),  村上 雅史(パナソニック),  占部 継一郎(京大),  江利口 浩二(京大),  

[発表日]2021-01-28
[資料番号]SDM2020-53
[招待講演]チャネル薄膜化と(111)面方位の組み合わせによるInAs-On-Insulator nMOSFETのサブバンド制御

隅田 圭(東大),  トープラサートポン カシディット(東大),  竹中 充(東大),  高木 信一(東大),  

[発表日]2021-01-28
[資料番号]SDM2020-54