エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2020/10/22)

タイトル/著者/発表日/資料番号
3次元積層に向けた高容量密度・高耐圧SiN絶縁膜粗面トレンチキャパシタの開発

齊藤 宏河(東北大),  吉田 彩乃(東北大),  黒田 理人(東北大),  柴田 寛(ラピスセミコンダクタ宮城),  柴口 拓(ラピスセミコンダクタ宮城),  栗山 尚也(ラピスセミコンダクタ宮城),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2020-10-22
[資料番号]SDM2020-15
Investigation on millisecond solid phase crystallization of amorphous silicon films induced by micro thermal plasma jet.

Hoa Thi Khanh Nguyen(Hiroshima Univ.),  Hiroaki Hanafusa(Hiroshima Univ.),  Yuri Mizukawa(Hiroshima Univ.),  Shohei Hayashi(Toray Res. Cent.),  Seiichiro Higashi(Hiroshima Univ.),  

[発表日]2020-10-22
[資料番号]SDM2020-18
強誘電体薄膜BiFeO3の格子整合とX線構造分析

今泉 文伸(小山高専),  仲田 陸人(小山高専),  

[発表日]2020-10-22
[資料番号]SDM2020-20
[記念講演]プラズマを利用した原子層制御エッチングプロセス

熊倉 翔(東京エレクトロン宮城),  

[発表日]2020-10-22
[資料番号]SDM2020-14
Investigation of N-doped LaB6/LaBxNy/Si(100) MIS structure and floating-gate memory applications

朴 鏡恩(東工大),  釜田 英暉(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2020-10-22
[資料番号]SDM2020-16
A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET

マイリグ レンジ マーク ドミンセル(東工大),  有賀 雄一郎(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2020-10-22
[資料番号]SDM2020-17
IPAを用いた銅・酸化銅上の表面改質

間脇 武蔵(東北大),  寺本 章伸(広島大),  石井 勝利(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ),  志波 良信(東北大),  諏訪 智之(東北大),  東雲 秀司(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ),  清水 亮(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ),  梅澤 好太(東京エレクトロンテクノロジーソリューションズ),  黒田 理人(東北大),  白井 泰雪(東北大),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2020-10-22
[資料番号]SDM2020-19
統計的計測によるドレイン-ソース間電圧がランダムテレグラフノイズに与える影響の解析

秋元 瞭(東北大),  黒田 理人(東北大),  寺本 章伸(広島大),  間脇 武蔵(東北大),  市野 真也(東北大),  諏訪 智之(東北大),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2020-10-22
[資料番号]SDM2020-21