エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2019/11/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
3Dフラッシュメモリの製造技術を用いた積層型論理回路の設計法

鈴木 章矢(湘南工科大),  渡辺 重佳(湘南工科大),  

[発表日]2019-11-07
[資料番号]SDM2019-73
[招待講演]産業応用を目指したコンパクトモデルの開発

三浦 道子(広島大),  

[発表日]2019-11-07
[資料番号]SDM2019-72
[招待講演]強誘電体HfO2トンネル接合メモリのスケーラビリティに関する検討

小林 正治(東大),  莫 非(東大),  多川 友作(東大),  更屋 拓哉(東大),  平本 俊郎(東大),  

[発表日]2019-11-07
[資料番号]SDM2019-69
[招待講演]SISPAD2019レビュー

鎌倉 良成(阪工大),  

[発表日]2019-11-07
[資料番号]SDM2019-68
[招待講演]2次元層状トランジスタの界面の理解と制御

長汐 晃輔(東大),  

[発表日]2019-11-07
[資料番号]SDM2019-70
[招待講演]ビーム実験による原子スケールプロセスにおける表面反応解析

唐橋 一浩(阪大),  伊藤 智子(阪大),  浜口 智志(阪大),  

[発表日]2019-11-07
[資料番号]SDM2019-71
[招待講演]不純物の離散性に伴った半導体デバイスモデリングの基本的側面 II

佐野 伸行(筑波大),  

[発表日]2019-11-08
[資料番号]SDM2019-75
[招待講演]6.5kV IGBTにおける飽和電流とテール電流のTCADキャリブレーションの方法と考察

諏訪 剛史(東芝デバイス&ストレージ),  早瀬 茂昭(東芝デバイス&ストレージ),  

[発表日]2019-11-08
[資料番号]SDM2019-78
[招待講演]先進CMOSイメージセンサ開発へ向けたRTSノイズの計測・解析技術

黒田 理人(東北大),  

[発表日]2019-11-08
[資料番号]SDM2019-79
[招待講演]強誘電体電界効果トランジスタの動的挙動のデバイスシミュレーション

服部 淳一(産総研),  池上 努(産総研),  福田 浩一(産総研),  太田 裕之(産総研),  右田 真司(産総研),  浅井 栄大(産総研),  

[発表日]2019-11-08
[資料番号]SDM2019-74
[招待講演]トレンチゲート型Si-IGBTの3次元精密TCADシミュレーション

渡辺 正裕(東工大),  執行 直之(東工大),  星井 拓也(東工大),  古川 和由(東工大),  角嶋 邦之(東工大),  佐藤 克己(三菱電機),  末代 知子(東芝デバイス&ストレージ),  更屋 拓哉(東大),  高倉 俊彦(東大),  伊藤 一夫(東大),  福井 宗利(東大),  鈴木 慎一(東大),  竹内 潔(東大),  宗田 伊里也(東工大),  若林 整(東工大),  中島 昭(産総研),  西澤 伸一(九大),  筒井 一生(東工大),  平本 俊郎(東大),  大橋 弘通(東工大),  岩井 洋(東工大),  

[発表日]2019-11-08
[資料番号]SDM2019-77
[招待講演]SiC酸化プロセスの第一原理分子動力学解析

大野 隆央(物質・材料研究機構),  

[発表日]2019-11-08
[資料番号]SDM2019-76