Electronics-Silicon Devices and Materials(Date:2019/04/25)
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Naoki Matsuda(AIST), Hirotaka Okabe(AIST), [Date]2019-04-25[Paper #]SDM2019-1,OME2019-1 | |
Mamoru Furuta(KUT.), Daichi Koretomo(KUT.), Ryunosuke Higashi(KUT.), Shuhei Hamada(KUT.), [Date]2019-04-26[Paper #]SDM2019-6,OME2019-6 | |
Shinji Ando(Tokyo Tech), Chiaki Takemasa(Tokyo Tech), Ryohei Ishige(Tokyo Tech), [Date]2019-04-26[Paper #]SDM2019-2,OME2019-2 | |
Ryota Sawamura(Tohoku Univ.), Atsuko Masuya-Suzuki(Tohoku Univ.), Nobuhiko Iki(Tohoku Univ.), [Date]2019-04-26[Paper #]SDM2019-3,OME2019-3 | |
Takuya Matsumoto(Osaka Univ.), [Date]2019-04-26[Paper #]SDM2019-4,OME2019-4 | |
Kazutoshi Iijima(Yokohama Ntl. Univ.), Yumi Miura(Yokohama Ntl. Univ.), Shohei Ishikawa(Tokyo Univ. of Sci.), Hidenori Otsuka(Tokyo Univ. of Sci.), [Date]2019-04-26[Paper #]SDM2019-5,OME2019-5 | |
Naoki Matsuda(AIST), Hirotala Okabe(AIST), [Date]2019-04-27[Paper #]SDM2019-7,OME2019-7 |