エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2018/01/30)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]過渡解析TCADシミュレーションによる強誘電体負性容量FinFETトランジスタの考察

太田 裕之(産総研),  右田 真司(産総研),  池上 努(産総研),  服部 淳一(産総研),  浅井 栄大(産総研),  福田 浩一(産総研),  鳥海 明(東大),  

[発表日]2018-01-30
[資料番号]SDM2017-91
[招待講演]Type-IIエネルギーバンド構造を有する酸化物半導体/(Si, SiGe, Ge)積層型トンネル電界効果トランジスタの提案と動作実証

加藤 公彦(東大),  松井 裕章(東大),  田畑 仁(東大),  竹中 充(東大),  高木 信一(東大),  

[発表日]2018-01-30
[資料番号]SDM2017-92
[招待講演]Vth Nearingによる3D-NAND型フラッシュメモリの垂直方向の電荷移動抑制技術

溝口 恭史(中大),  小滝 翔平(中大),  出口 慶明(中大),  竹内 健(中大),  

[発表日]2018-01-30
[資料番号]SDM2017-93
[招待講演]16/14nmノード混載フラッシュメモリに向けた狭いVth分布を持つFinFET Split-Gate MONOSアレイの信頼性及びスケーラビリティ

津田 是文(ルネサス エレクトロニクス),  斉藤 朋也(ルネサス エレクトロニクス),  長瀬 寛和(ルネサス エレクトロニクス),  川嶋 祥之(ルネサス エレクトロニクス),  吉冨 敦司(ルネサス エレクトロニクス),  岡西 忍(ルネサス エレクトロニクス),  林 倫弘(ルネサス エレクトロニクス),  丸山 卓也(ルネサス エレクトロニクス),  井上 真雄(ルネサス エレクトロニクス),  村中 誠志(ルネサス エレクトロニクス),  加藤 茂樹(ルネサス エレクトロニクス),  萩原 琢也(ルネサス エレクトロニクス),  齊藤 博和(ルネサス エレクトロニクス),  山口 直(ルネサス エレクトロニクス),  門島 勝(ルネサス エレクトロニクス),  丸山 隆弘(ルネサス エレクトロニクス),  三原 竜善(ルネサス エレクトロニクス),  柳田 博史(ルネサス エレクトロニクス),  園田 賢一郎(ルネサス エレクトロニクス),  山下 朋弘(ルネサス エレクトロニクス),  山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2018-01-30
[資料番号]SDM2017-94
[Invited Talk] STDP synapse with outstanding stability based on a novel insulator-to-metal transition FET

ストリア パブロ(nanoGUNE),  シュルマン アレハンドロ(産総研),  鬼頭 愛(産総研),  澤 彰仁(産総研),  井上 公(産総研),  

[発表日]2018-01-30
[資料番号]SDM2017-95
[Invited Talk] Sub-nm EOT Ferroelectric HfO2 on p+Ge with Highly Reliable Field Cycling Properties

田 ?(東大),  徐 倫(東大),  柴山 茂久(東大),  西村 知紀(東大),  矢嶋 赳彬(東大),  右田 真司(産総研),  鳥海 明(東大),  

[発表日]2018-01-30
[資料番号]SDM2017-96