エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2017/07/31)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]シリコン量子コンピュータに向けた基盤技術開発

小寺 哲夫(東工大),  

[発表日]2017-07-31
[資料番号]SDM2017-36,ICD2017-24
[招待講演]A Cross Point Cu-ReRAM with a Novel OTS Selector for Storage Class Memory Applications

保田 周一郎(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  大場 和博(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  水口 徹也(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  清 宏彰(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  紫牟田 雅之(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  荒谷 勝久(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  椎本 恒則(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  山元 哲也(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  曽根 威之(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  野々口 誠二(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  奥野 潤(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  河内山 彰(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  大塚 渉(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  筒井 敬一(ソニーセミコンダクタソリューションズ),  

[発表日]2017-07-31
[資料番号]SDM2017-34,ICD2017-22
SOTBプロセスによるIoT向け低消費電力混載SRAMの開発

藪内 誠(ルネサス エレクトロニクス),  新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  田中 信二(ルネサス エレクトロニクス),  篠崎 義弘(日本システムウエア),  山本 芳樹(ルネサス エレクトロニクス),  長谷川 拓実(ルネサス エレクトロニクス),  新川田 裕樹(ルネサス エレクトロニクス),  蒲原 史朗(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2017-07-31
[資料番号]SDM2017-33,ICD2017-21
[招待講演]アルゴリズムとハードウェアの協調設計による新時代コンピューティング

高前田 伸也(北大),  

[発表日]2017-07-31
[資料番号]SDM2017-31,ICD2017-19
ドレインオフセット構造を持った相補型TFET回路のTCADシミュレーション

浅井 栄大(産総研),  森 貴洋(産総研),  服部 淳一(産総研),  福田 浩一(産総研),  遠藤 和彦(産総研),  松川 貴(産総研),  

[発表日]2017-07-31
[資料番号]SDM2017-35,ICD2017-23
8角形多端子MOSFETによる多機能センサ動作の評価

原田 知親(山形大),  

[発表日]2017-07-31
[資料番号]SDM2017-32,ICD2017-20
[依頼講演]電圧比調整技術を用いた3.2ppm/℃の二次温度補償CMOSオンチップ発振器

張 国強(ルネサス エレクトロニクス),  矢山 浩輔(ルネサス エレクトロニクス),  勝島 明男(ルネサス エレクトロニクス),  三木 隆博(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2017-08-01
[資料番号]SDM2017-39,ICD2017-27
スーパーサンプリングDAC α=-2 + √3

小林 芳直(東大),  肥後 信嗣(SLDJ),  

[発表日]2017-08-01
[資料番号]SDM2017-40,ICD2017-28
しきい電圧の温度依存性を低減した等価MOSFETの試作と評価

山口 拓哉(明大),  奥 達哉(明大),  関根 かをり(明大),  

[発表日]2017-08-01
[資料番号]SDM2017-41,ICD2017-29
[招待講演]ノーマリーオフ動作のための強誘電体HfO2を集積した不揮発性SRAM

小林 正治(東大),  上山 望(東大),  平本 俊郎(東大),  

[発表日]2017-08-01
[資料番号]SDM2017-37,ICD2017-25
不揮発情報一括書き込み・読み出し可能な初期値確定SRAM

水谷 朋子(東大),  竹内 潔(東大),  更屋 拓哉(東大),  篠原 尋史(早大),  小林 正治(東大),  平本 俊郎(東大),  

[発表日]2017-08-01
[資料番号]SDM2017-38,ICD2017-26
[招待講演]金属絶縁体転移素子を用いたキャパシタレスのニューロン回路

矢嶋 赳彬(東大),  西村 知紀(東大),  鳥海 明(東大),  

[発表日]2017-08-02
[資料番号]SDM2017-44,ICD2017-32
ウェーバー方式イメージ抑圧法を用いた全ディジタル化Low-IF方式送信機のマルチキャリア送信特性

加茂 巧(東京理科大),  楳田 洋太郎(東京理科大),  小澤 佑介(茨城大),  

[発表日]2017-08-02
[資料番号]SDM2017-47,ICD2017-35
並列出力MASH方式ΔΣ変調器を用いた直交変調型包絡線パルス幅変調方式送信機

山本 匠(東京理科大),  楳田 洋太郎(東京理科大),  小澤 佑介(茨城大),  

[発表日]2017-08-02
[資料番号]SDM2017-48,ICD2017-36
[招待講演]デジタルアンプ技術を用いた28nm CMOS 0.7V 12b 160MS/s 12.8fJ/convstep Pipelined-SAR ADC

吉岡 健太郎(東芝),  杉本 智彦(東芝),  脇 直也(東芝),  金 信寧(東芝),  黒瀬 大介(東芝),  石井 啓友(東芝),  古田 雅則(東芝),  崔 明秀(東芝),  板倉 哲朗(東芝),  

[発表日]2017-08-02
[資料番号]SDM2017-46,ICD2017-34
急峻なSSを持つPN-Body Tied SOI FETを用いた高効率RFエネルギーハーベスティング用Gate Controlled Diodeの特性

百瀬 駿(金沢工大),  井田 次郎(金沢工大),  森 貴之(金沢工大),  吉田 貴大(金沢工大),  岩田 潤平(金沢工大),  堀井 隆史(金沢工大),  古田 貴大(金沢工大),  山田 拓弥(金沢工大),  高松 大地(金沢工大),  伊東 健治(金沢工大),  石橋 孝一郎(電通大),  新井 康夫(高エネルギー加速器研究機構),  

[発表日]2017-08-02
[資料番号]SDM2017-45,ICD2017-33
[依頼講演]BRein Memory:バイナリ・インメモリ再構成型深層ニューラルネットワークアクセラレータ

安藤 洸太(北大),  植吉 晃大(北大),  折茂 健太郎(北大),  米川 晴義(東工大),  佐藤 真平(東工大),  中原 啓貴(東工大),  池辺 将之(北大),  浅井 哲也(北大),  高前田 伸也(北大),  黒田 忠広(慶大),  本村 真人(北大),  

[発表日]2017-08-02
[資料番号]SDM2017-43,ICD2017-31
[招待講演]確率的A/D変換と誤差補正用機械学習による逐次比較A/D変換器の高精度化

松岡 俊匡(阪大),  鎌田 隆嗣(SPChange),  植田 昌行(SPChange),  平井 雄作(阪大),  谷 貞宏(阪大),  浅野 智大(阪大),  勇 正大(阪大),  倉田 宗史(阪大),  巽 啓司(阪大),  

[発表日]2017-08-02
[資料番号]SDM2017-42,ICD2017-30
開ループ適応的送信機動作電圧制御を用いた高効率ワイヤレス給電システム

川尻 徹(慶大),  石黒 仁揮(慶大),  

[発表日]2017-08-02
[資料番号]SDM2017-49,ICD2017-37