エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2017/06/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
XPSによるHigh-k/SiO2界面の化学構造およびダイポールの評価

藤村 信幸(名大),  大田 晃生(名大),  池田 弥央(名大),  牧原 克典(名大),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-25
[依頼講演]シンチレータとGa2O3半導体

岡田 豪(奈良先端大),  臼井 雄輝(奈良先端大),  河野 直樹(奈良先端大),  河口 範明(奈良先端大),  柳田 健之(奈良先端大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-21
[依頼講演]皮膚アセトン測定に向けたWO3ナノ粒子半導体式ガスセンサの研究

山田 祐樹(NTTドコモ),  檜山 聡(NTTドコモ),  田畑 仁(東大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-23
[依頼講演]SOI技術を用いた量子イメージング検出器の開発

新井 康夫(高エネルギー加速器研究機構),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-22
[依頼講演]ダイヤモンド中の窒素‐空孔センターによる高感度センシング技術

岩崎 孝之(東工大),  波多野 睦子(東工大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-24
硫黄雰囲気硫化プロセスによるスパッタMoS2薄膜の低キャリア密度化

松浦 賢太朗(東工大),  大橋 匠(東工大),  宗田 伊理也(東工大),  石原 聖也(明大),  角嶋 邦之(東工大),  筒井 一生(東工大),  小椋 厚志(明大),  若林 整(東工大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]
高濃度SOI基板と転写法によるTMDC FETsの作製

川那子 高暢(東工大),  居駒 遼(東工大),  高木 寛之(東工大),  小田 俊理(東工大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-28
分極接合基板上pチャネルGaN MOS構造の容量特性についての検討

高山 留美(東工大),  星井 拓也(東工大),  中島 昭(産総研),  西澤 伸一(九大),  大橋 弘通(東工大),  角嶋 邦之(東工大),  若林 整(東工大),  筒井 一生(東工大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-27
定電圧および定電流印加によるSi酸化薄膜の電気抵抗変化特性評価

大田 晃生(名大),  加藤 祐介(名大),  池田 弥央(名大),  牧原 克典(名大),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-26
Ge1-xSnxゲートスタック構造における欠陥の物性評価

金田 裕一(名大),  池 進一(名大),  兼松 正行(名大),  坂下 満男(名大),  竹内 和歌奈(名大),  中塚 理(名大),  財満 鎭明(名大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-29
エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

伊藤 公一(名大),  大田 晃生(名大),  黒澤 昌志(名大),  洗平 昌晃(名大),  池田 弥央(名大),  牧原 克典(名大),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2017-06-20
[資料番号]SDM2017-30