エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2016/10/26)

タイトル/著者/発表日/資料番号
高濃度ドーピングされた(100)方位SOIウェーハに対するSi選択エピタキシャル成長後の平坦な表面形成技術

古川 貴一(東北大),  寺本 章伸(東北大),  黒田 理人(東北大),  諏訪 智之(東北大),  橋本 圭市(東北大),  須川 成利(東北大),  鈴木 大介(東京エレクトロン東北),  千葉 洋一郎(東京エレクトロン東北),  石井 勝利(東京エレクトロン東北),  清水 亮(東京エレクトロン東北),  長谷部 一秀(東京エレクトロン東北),  

[発表日]2016-10-26
[資料番号]SDM2016-70
[招待講演]超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術

槇山 秀樹(ルネサス エレクトロニクス),  山本 芳樹(ルネサス エレクトロニクス),  長谷川 拓実(ルネサス エレクトロニクス),  岡西 忍(ルネサス エレクトロニクス),  前川 径一(ルネサス エレクトロニクス),  新川田 裕樹(ルネサス エレクトロニクス),  蒲原 史朗(ルネサス エレクトロニクス),  山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス),  杉井 信之(日立),  石橋 孝一郎(電通大),  水谷 朋子(東大),  平本 俊郎(東大),  

[発表日]2016-10-26
[資料番号]SDM2016-71
[招待講演]基板バイアス技術を用いたSOTB 2Mbit SRAMの超低電圧動作

山本 芳樹(ルネサス エレクトロニクス),  槇山 秀樹(ルネサス エレクトロニクス),  長谷川 拓実(ルネサス エレクトロニクス),  岡西 忍(ルネサス エレクトロニクス),  前川 径一(ルネサス エレクトロニクス),  新川田 裕樹(ルネサス エレクトロニクス),  蒲原 史朗(ルネサス エレクトロニクス),  山口 泰男(ルネサス エレクトロニクス),  杉井 信之(日立),  水谷 朋子(東大),  平本 俊郎(東大),  

[発表日]2016-10-26
[資料番号]SDM2016-72
[招待講演]最先端LSIプロセスにおける重金属汚染の制御

嵯峨 幸一郎(ソニー),  

[発表日]2016-10-26
[資料番号]SDM2016-69
[招待講演]高NIR感度と高MTFを実現する新規積層フォトダイオード構造の開発

高橋 広樹(パナソニック・タワージャズセミコンダクター),  田中 浩司(パナソニック・タワージャズセミコンダクター),  小田 真弘(パナソニック・タワージャズセミコンダクター),  安藤 三善(パナソニック・タワージャズセミコンダクター),  新添 真人(パナソニック・タワージャズセミコンダクター),  河合 真一(PSCS),  浅野 拓也(PSCS),  吉田 貢(PSCS),  山田 徹(PSCS),  

[発表日]2016-10-27
[資料番号]SDM2016-77
Si基板表面平坦化によるHf系MONOS構造の電気特性向上に関する検討

工藤 聡也(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2016-10-27
[資料番号]SDM2016-76
[招待講演]科学計測用CMOSイメージセンサのための低ノイズイメージングテクニック

徐 珉雄(静岡大),  川人 祥二(静岡大),  

[発表日]2016-10-27
[資料番号]SDM2016-78
原子層堆積法で成膜したAl2O3膜界面に及ぼす酸化種の影響

齋藤 雅也(東北大),  諏訪 智之(東北大),  寺本 章伸(東北大),  黒田 理人(東北大),  幸田 安真(東北大),  杉田 久哉(東北大),  石井 秀和(東北大),  志波 良信(東北大),  白井 泰雪(東北大),  須川 成利(東北大),  林 真里恵(キヤノンアネルバ),  土本 淳一(キヤノンアネルバ),  

[発表日]2016-10-27
[資料番号]SDM2016-73
SiO2上におけるウェットプロセスがペンタセン薄膜形成に与える影響

前田 康貴(東工大),  廣木 瑞葉(東工大),  大見 俊一郎(東工大),  

[発表日]2016-10-27
[資料番号]SDM2016-74
動作電圧変化時の過渡状態におけるランダムテレグラフノイズの挙動に関する研究

間脇 武蔵(東北大),  寺本 章伸(東北大),  黒田 理人(東北大),  市野 真也(東北大),  後藤 哲也(東北大),  諏訪 智之(東北大),  須川 成利(東北大),  

[発表日]2016-10-27
[資料番号]SDM2016-75