エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2016/06/29)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[依頼講演]カルコゲナイド系層状物質の電界効果トランジスタ素子への応用

上野 啓司(埼玉大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-43
[依頼講演]遷移金属ダイカルコゲナイド原子層の成長と評価

宮田 耕充(首都大東京),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-47
[依頼講演]強誘電体HfSiOキャパシタにおける形成プロセスと膜物性・電気特性の関係

上牟田 雄一(東芝),  藤井 章輔(東芝),  高石 理一郎(東芝),  井野 恒洋(東芝),  中崎 靖(東芝),  齋藤 真澄(東芝),  小山 正人(東芝),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-32
多段積層型トランジスタ構造を用いたFe-FET NAND論理の提案とそのロジックLSIへの適用検討

渡辺 重佳(湘南工科大),  横田 智広(DNPデータテクノ),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-36
[依頼講演]2次元原子層物質の構造制御合成とプラズマ機能化

加藤 俊顕(東北大),  金子 俊郎(東北大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-44
ZrO2/Al2O3/ZrO2多層を用いたDRAMキャパシタにおけるAl2O3層が電気特性に及ぼす効果

女屋 崇(明大/物質・材料研究機構),  生田目 俊秀(物質・材料研究機構/JST),  澤田 朋実(物質・材料研究機構/JST),  栗島 一徳(明大/物質・材料研究機構),  澤本 直美(明大),  大井 暁彦(物質・材料研究機構),  知京 豊裕(物質・材料研究機構),  小椋 厚志(明大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-37
[依頼講演]自己組織化単分子膜をゲート絶縁膜に用いた低電圧駆動MoS2 FETの作製

川那子 高暢(東工大),  小田 俊理(東工大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-45
[依頼講演]HfO2基強誘電体薄膜の作製と特性評価

舟窪 浩(東工大),  清水 荘雄(東工大),  片山 きりは(東工大),  三村 和仙(東工大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-33
タンタル酸ナノシート/SiO2/Si界面バンドオフセットにおけるUV照射の効果

速水 脩平(京大),  豊田 智史(京大),  福田 勝利(京大),  菅谷 英生(パナソニック),  森田 将史(京大),  中田 明良(京大),  内本 喜晴(京大),  松原 英一郎(京大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-42
XPSによるSiO2/半導体界面の電位変化およびダイポールの定量

藤村 信幸(名大),  大田 晃生(名大),  渡辺 浩成(名大),  牧原 克典(名大),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-40
Ge基板上エピタキシャルGeSn膜の電気的活性な欠陥の評価

金田 裕一(名大),  兼松 正行(名大),  坂下 満男(名大),  竹内 和歌奈(名大),  中塚 理(名大),  財満 鎭明(名大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-39
リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO2薄膜形成

グェンスァン チュン(名大),  藤村 信幸(名大),  竹内 大智(名大),  大田 晃生(名大),  牧原 克典(名大),  池田 弥央(名大),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-41
TFT応用に向けたRFマグネトロンスパッタリング法によるMoS2膜の形成

大橋 匠(東工大),  松浦 賢太朗(東工大),  石原 聖也(明大),  日比野 祐介(明大),  澤本 直美(明大),  角嶋 邦之(東工大),  筒井 一生(東工大),  小椋 厚志(明大),  若林 整(東工大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-46
強誘電体ナノワイヤキャパシタの作製

藤沢 浩訓(兵庫県立大),  清水 勝(兵庫県立大),  中嶋 誠二(兵庫県立大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-35
SiO2の絶縁破壊と局所陽極酸化を用いた抵抗変化デバイス

角嶋 邦之(東工大),  若林 整(東工大),  筒井 一生(東工大),  岩井 洋(東工大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-38
[依頼講演]強誘電体絶縁膜の負性容量を利用した急峻スイッチング実現のためのSOI-FET設計指針

太田 裕之(産総研),  右田 真司(産総研),  服部 淳一(産総研),  福田 浩一(産総研),  鳥海 明(東大),  

[発表日]2016-06-29
[資料番号]SDM2016-34