エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2016/01/28)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[招待講演]極薄膜Ge-On-Insulator(GOI) p-MOSFETのキャリア輸送特性

ユウ シャオ(東大),  亢 健(東大),  竹中 充(東大),  高木 信一(東大),  

[発表日]2016-01-28
[資料番号]SDM2015-120
[招待講演]Advanced SPCプロセスにより形成された高移動度poly-Siナノワイヤトランジスタにおける電気輸送特性

小田 穣(東芝),  佐久間 究(東芝),  上牟田 雄一(東芝),  齋藤 真澄(東芝),  

[発表日]2016-01-28
[資料番号]SDM2015-121
[招待講演]トンネルトランジスタにおけるBTIの理解

水林 亘(産総研),  森 貴洋(産総研),  福田 浩一(産総研),  石川 由紀(産総研),  森田 行則(産総研),  右田 真司(産総研),  太田 裕之(産総研),  柳 永勛(産総研),  大内 真一(産総研),  塚田 順一(産総研),  山内 洋美(産総研),  松川 貴(産総研),  昌原 明植(産総研),  遠藤 和彦(産総研),  

[発表日]2016-01-28
[資料番号]SDM2015-122
[招待講演]ファンデルワールス接合の作製と量子輸送現象

町田 友樹(東大),  守谷 頼(東大),  佐田 洋太(東大),  山口 健洋(東大),  荒井 美穂(東大),  矢吹 直人(東大),  森川 生(東大),  増渕 覚(東大),  上野 啓司(埼玉大),  

[発表日]2016-01-28
[資料番号]SDM2015-123
[招待講演]Si上異種半導体集積によるCMOSフォトニクス

竹中 充(東大),  金 栄現(東大),  韓 在勲(東大),  亢 健(東大),  一宮 佑希(東大),  程 勇鵬(東大),  朴 珍權(東大),  金 相賢(東大),  高木 信一(東大),  

[発表日]2016-01-28
[資料番号]SDM2015-124
[招待講演]最先端テクノロジノードにおける2RWデュアルポートSRAM設計事例

新居 浩二(ルネサス エレクトロニクス),  薮内 誠(ルネサス エレクトロニクス),  横山 佳巧(ルネサス システムデザイン),  石井 雄一郎(ルネサス エレクトロニクス),  岡垣 健(ルネサス エレクトロニクス),  森本 薫夫(ルネサス エレクトロニクス),  塚本 康正(ルネサス エレクトロニクス),  田中 浩司(ルネサス システムデザイン),  田中 美紀(ルネサス システムデザイン),  田中 信二(ルネサス エレクトロニクス),  

[発表日]2016-01-28
[資料番号]SDM2015-125
[招待講演]次世代垂直磁化MTJを用いた高速・低消費電力のキャッシュメモリ階層技術を持つノーマリーオフプロセッサ

池上 一隆(東芝),  野口 紘希(東芝),  高谷 聡(東芝),  鎌田 親義(東芝),  天野 実(東芝),  安部 恵子(東芝),  櫛田 桂一(東芝),  北川 英二(東芝),  落合 隆夫(東芝),  下村 尚治(東芝),  才田 大輔(東芝),  川澄 篤(東芝),  原 浩幸(東芝),  伊藤 順一(東芝),  藤田 忍(東芝),  

[発表日]2016-01-28
[資料番号]SDM2015-126
[招待講演]極低ドレイン電圧で急峻なS値を持つPN Body Tied SOI FET

井田 次郎(金沢工大),  

[発表日]2016-01-28
[資料番号]SDM2015-127