エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2015/06/19)

タイトル/著者/発表日/資料番号
[依頼講演]二層グラフェンのバンドギャップ形成と電極接触抵抗

野内 亮(阪府大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-54
[依頼講演]Al2O3/AlGaN/GaN構造の界面電子準位評価

谷田部 然治(北大),  橋詰 保(北大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-38
[依頼講演]Al2O3/Ga2O3界面構造とその面方位依存性

上村 崇史(NICT),  ダイワシガマニ キルシナムルティ(NICT),  倉又 朗人(タムラ製作所),  山腰 茂伸(タムラ製作所),  東脇 正高(NICT),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-40
[依頼講演]容量過渡分光法によるMOCVD n-GaNのトラップ評価

徳田 豊(愛知工大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-39
[依頼講演]SiO2/SiC MOS界面の欠陥特性に酸窒化処理が与える影響

竹内 和歌奈(名大),  山本 建策(デンソー),  坂下 満男(名大),  金村 髙司(デンソー),  中塚 理(名大),  財満 鎭明(名大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-43
メタルソース/ドレインGe CMOS実現に向けたNiGe/Ge接合障壁変調機構の解明

岡 博史(阪大),  箕浦 佑也(阪大),  淺原 亮平(阪大),  細井 卓治(阪大),  志村 考功(阪大),  渡部 平司(阪大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-48
[依頼講演]原子薄膜の電気的極性可変トランジスタ

中払 周(物質・材料研究機構),  飯島 智彦(産総研),  小川 真一(産総研),  八木 克典(産総研),  原田 直樹(産総研),  林 賢二郎(産総研),  近藤 大雄(産総研),  高橋 慎(産総研),  黎 松林(物質・材料研究機構),  山本 真人(物質・材料研究機構),  林 彦甫(物質・材料研究機構),  上野 啓司(埼玉大),  塚越 一仁(物質・材料研究機構),  佐藤 信太郎(産総研),  横山 直樹(産総研),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-55
[依頼講演]SiC/SiO2界面における窒素化学状態の結晶面方位依存性

森 大輔(富士電機),  井上 慧(富士電機),  寺西 秀明(富士電機),  広瀬 隆之(富士電機),  瀧川 亜樹(富士電機),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-42
極薄Al2O3/SiO2 hybrid BOX層を有する貼り合わせGeOI基板の熱処理による電気特性改善

吉田 啓資(阪大),  竹内 正太郎(阪大),  中村 芳明(阪大),  酒井 朗(阪大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-53
PE-ALD法で作製した極薄膜Al2O3ゲート絶縁膜を用いたGIZO TFTの電気特性

栗島 一徳(明大/物質・材料研究機構),  生田目 俊秀(物質・材料研究機構),  塚越 一仁(物質・材料研究機構),  大井 暁彦(物質・材料研究機構),  知京 豊裕(物質・材料研究機構),  小椋 厚志(明大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-51
[依頼講演]3C/4H異種ポリタイプ接合を有するSiC MOSFETに対する検討

野口 宗隆(三菱電機),  岩松 俊明(三菱電機),  三浦 成久(三菱電機),  中田 修平(三菱電機),  山川 聡(三菱電機),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-41
Fully compatible resistive random access memory with amorphous InGaZnO based thin film transistor fabrication process

門 圭佑(奈良先端大),  上沼 睦典(奈良先端大),  鍋坂 恭平(奈良先端大),  クリティ シャーマ(奈良先端大),  山﨑 はるか(奈良先端大),  浦川 哲(奈良先端大),  藤井 茉美(奈良先端大),  石河 泰明(奈良先端大),  浦岡 行治(奈良先端大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-52
[依頼講演]High-k/MetalゲートMoS2 MOSFETの試作と評価

森 貴洋(産総研),  二之宮 成樹(横浜国大),  内田 紀行(産総研),  久保 利隆(産総研),  渡辺 英一郎(物質・材料研究機構),  津谷 大樹(物質・材料研究機構),  森山 悟士(物質・材料研究機構),  田中 正俊(横浜国大),  安藤 淳(産総研),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-56
シリコン熱酸化膜の水素アニール効果に関する第一原理計算

川内 伸悟(名大),  白川 裕規(名大),  洗平 昌晃(名大),  影島 愽之(島根大),  遠藤 哲郎(東北大),  白石 賢二(名大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-45
Ge1-xSnxエピタキシャル層中の欠陥へ及ぼす熱処理の効果

浅野 孝典(名大),  柴山 茂久(名大),  竹内 和歌奈(名大),  坂下 満男(名大),  中塚 理(名大),  財満 鎭明(名大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-50
光電子分光法による熱酸化SiO2/4H-SiCの化学結合状態および欠陥準位密度評価

渡辺 浩成(名大),  大田 晃生(名大),  牧原 克典(名大),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-44
Tiナノドットを埋め込んだSiリッチ酸化膜の抵抗変化特性

加藤 祐介(名大),  荒井 崇(名大),  大田 晃生(名大),  牧原 克典(名大),  宮崎 誠一(名大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-46
低い正孔障壁を有するPtGe/Geコンタクトの作製とメタルS/D型Ge p-MOSFETへの適用

永冨 雄太(九大),  田中 慎太郎(九大),  長岡 裕一(九大),  山本 圭介(九大),  王 冬(九大),  中島 寛(九大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-47
金属/Ge界面への超高Sn組成SnxGe1-x層導入による界面電気伝導特性の制御

鈴木 陽洋(名大),  柴山 茂久(名大),  坂下 満男(名大),  竹内 和歌奈(名大),  中塚 理(名大),  財満 鎭明(名大),  

[発表日]2015-06-19
[資料番号]SDM2015-49