エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2015/01/20)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2015/1/20
[資料番号]
目次

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[発表日]2015/1/20
[資料番号]
HfO_2/SiO_2/SiゲートスタックにおけるSiO_2スカベンジング現象の定式化(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

李 秀妍,  矢嶋 赳彬,  西村 知紀,  長汐 晃輔,  鳥海 明,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-135
Ge基板中の酸素がn-MOSFETsの接合リーク電流及び電子移動度に与える効果(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

李 忠賢,  西村 知紀,  魯 辞莽,  株柳 翔一,  鳥海 明,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-136
ゲルマニウムソース薄膜ひずみSOIトンネルFETの実現とその電気特性に与えるひずみ、MOS界面、バックバイアスの効果(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

金 閔洙,  若林 勇希,  中根 了昌,  横山 正史,  竹中 充,  高木 信一,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-137
フラッシュランプアニール法による多結晶Ge tri-gateジャンクションレスp-/n-MOSFET動作の実証(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

臼田 宏治,  鎌田 善巳,  上牟田 雄一,  森 貴洋,  小池 正浩,  手塚 勉,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-138
電子・フォノン統合モンテカルロシミュレータによる微細トランジスタの自己発熱析(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

鎌倉 良成,  ヌルアディスシロ インドラ,  久木田 健太郎,  脇村 豪,  木場 隼介,  土屋 英昭,  森 伸也,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-139
次世代3DICのためのCMOSウエーハ高精度積層技術 : システムとプロセス(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

岡田 政志,  菅谷 功,  三ッ石 創,  前田 栄裕,  泉 重人,  中平 法生,  岡本 和也,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-140
SOI基板の直接接合を用いた画素並列A/D変換方式3次元構造CMOSイメージセンサ(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

後藤 正英,  萩原 啓,  井口 義則,  大竹 浩,  更屋 拓哉,  小林 正治,  日暮 栄治,  年吉 洋,  平本 俊郎,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-141
次世代垂直磁化MTJと非対称磁場補正技術を用いたキャッシュメモリ向け低電力高密度STT-MRAM(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

池上 一隆,  野口 紘希,  鎌田 親義,  天野 実,  安部 恵子,  櫛田 桂一,  北川 英二,  落合 隆夫,  下村 尚治,  板井 翔吾,  才田 大輔,  田中 千加,  川澄 篤,  原 浩幸,  伊藤 順一,  藤田 忍,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-142
n型トンネルトランジスタにおけるPBTT寿命の正確な予測(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

水林 亘,  森 貴洋,  福田 浩一,  柳 永〓,  松川 貴,  石川 由紀,  遠藤 和彦,  大内 真一,  塚田 順一,  山内 洋美,  右田 真司,  森田 行則,  太田 裕之,  昌原 明植,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-143
16nmノードMetal/high-k FinFETプロセスを用いたワード線オーバードライブアシスト技術による高速シングルポートSRAM(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

藪内 誠,  森本 薫夫,  塚本 康正,  田中 信二,  田中 浩司,  田中 美紀,  新居 浩二,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-144
非晶質金属ゲート電極FinFETによるばらつき・低周波ノイズ抑制とアナログ・デジタル回路のスケーリング限界の改善(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

松川 貴,  福田 浩一,  柳 永〓,  塚田 順一,  山内 洋美,  石川 由紀,  遠藤 和彦,  大内 真一,  右田 真司,  水林 亘,  森田 行則,  太田 裕之,  昌原 明植,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-145
Si CMOSプラットフォームにおけるp-n相補型トンネルFinFETの急峻サブスレッショルド・スイングおよび超低オフ電流の実証(先端CMOSデバイス・プロセス技術(IEDM特集))

森田 行則,  森 貴洋,  福田 浩一,  水林 亘,  右田 真司,  遠藤 和彦,  松川 貴,  大内 真一,  柳 永〓,  昌原 明植,  太田 裕之,  

[発表日]2015/1/20
[資料番号]SDM2014-146
複写される方へ

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[発表日]2015/1/20
[資料番号]
Reprographic Reproduction outside Japan

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[発表日]2015/1/20
[資料番号]
奥付

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[発表日]2015/1/20
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2015/1/20
[資料番号]