エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2014/10/30)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2014/10/30
[資料番号]
目次

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[発表日]2014/10/30
[資料番号]
非対称ダブル・ゲート横型トンネルFETの解析モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

呂 鴻飛,  佐藤 伸吾,  大村 泰久 /,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-96
Gate-on-Germanium Source (GoGeS)縦型トンネルFETの解析モデルの検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

大村 泰久,  佐藤 伸吾 /,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-97
モンテカルロ法によるSiCへの3次元不純物イオン注入計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

岡本 稔,  清水 守,  大倉 康幸,  山口 憲,  小池 秀耀,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-98
SiCパワーデバイス(DioMOS)のSPICEモデルの構築 : 双対性による逆方向電流のモデル化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

山本 哲也,  澤井 徹郎,  堀川 信之,  神澤 好彦,  水谷 研治,  大塚 信之,  藤井 英治,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-99
デバイス・シミュレーション : 30年間を振り返って(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

執行 直之,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-100
計算物理に基づく電子材料設計の最近の進展(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

影島 博之,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-101
電荷蓄積型メモリーのモデリング・シミュレーションと信頼性課題(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

石原 貴光,  安田 直樹,  藤井 章輔,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-102
SISPAD 2014レビュー(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

園田 賢一郎,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-103
半導体Si結晶育成中の点欠陥挙動に与える熱応力とドーパントの効果(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

末岡 浩治,  神山 栄治,  中村 浩三,  ファンヘレモンド イアン,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-104
モンテカルロ法を用いたSiダブルゲート構造MOSFETの準バリスティック輸送係数め抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

土屋 英昭,  石田 良馬,  鎌倉 良成,  森 伸也,  宇野 重康,  小川 真人,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-105
ランダムテレグラフノイズの統計解析とそのモデリング(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

三木 浩史,  

[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-106
Interface Engineering for High Mobility Ge MOSFETs : Surface Orientation and Scattering Mechanism

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[発表日]2014/10/30
[資料番号]SDM2014-107
複写される方へ

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[発表日]2014/10/30
[資料番号]
Reprographic Reproduction outside Japan

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[発表日]2014/10/30
[資料番号]
奥付

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[発表日]2014/10/30
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2014/10/30
[資料番号]