エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2014/10/09)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2014/10/9
[資料番号]
目次

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[発表日]2014/10/9
[資料番号]
IGBTの性能向上と現在の状況(招待講演,プロセス科学と新プロセス技術)

寺島 知秀,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-84
シリコン表面原子オーダー平坦化技術のSTIプロセス工程への導入(プロセス科学と新プロセス技術)

後藤 哲也,  黒田 理人,  赤川 直矢,  諏訪 智之,  寺本 章伸,  李 翔,  小原 俊樹,  木本 大幾,  須川 成利,  大見 忠弘,  熊谷 勇喜,  鎌田 浩,  渋沢 勝彦,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-85
開放型熱処理装置を用いたSi表面平坦化プロセスの検討(プロセス科学と新プロセス技術)

工藤 聡也,  大見 俊一郎,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-86
Electrical characteristics of as-deposited HfN gate insulator formed by ECR plasma sputtering

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[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-87
イメージセンサデバイスにおけるイオン注入(招待講演,プロセス科学と新プロセス技術)

川崎 洋司,  布施 玄秀,  佐野 信,  大賀 絵美,  小池 正純,  渡邉 一浩,  杉谷 道朗,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-88
ラジカル窒化法により形成したSi_3N_4/Si界面に形成される組成遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)

諏訪 智之,  寺本 章伸,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-89
角度分解X線光電子分光法を用いた4H-SiCの初期酸化過程の解明(プロセス科学と新プロセス技術)

笹子 知弥,  山堀 俊太,  野平 博司,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-90
MOCVD法によるGeおよびGe_<1-x>Sn_xのエピタキシャル成長(プロセス科学と新プロセス技術)

須田 耕平,  石原 聖也,  木嶋 隆浩,  澤本 直美,  町田 英明,  石川 真人,  須藤 弘,  大下 祥雄,  小椋 厚志,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-91
電子捕獲履歴現象を利用したナノスケールMOSFETにおける多値ランダムテレグラフノイズの解析(招待講演,プロセス科学と新プロセス技術)

土屋 敏章,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-92
MOSFETにおけるランダムテレグラフノイズを引き起こすトラップ密度の解析に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)

小原 俊樹,  寺本 章伸,  黒田 理人,  米澤 彰浩,  後藤 哲也,  諏訪 智之,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-93
超低電圧0.4V動作SOTB-CMOS回路のダイ間遅延ばらつきを抑制する基板バイアス制御技術(招待講演,プロセス科学と新プロセス技術)

槇山 秀樹,  山本 芳樹,  尾田 秀一,  蒲原 史朗,  杉井 信之,  山口 泰男,  石橋 孝一郎,  水谷 朋子,  平本 俊郎,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-94
積層型NAND MRAMの設計法(プロセス科学と新プロセス技術)

渡辺 重佳,  玉井 翔人,  

[発表日]2014/10/9
[資料番号]SDM2014-95
複写される方へ

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[発表日]2014/10/9
[資料番号]
Reprographic Reproduction outside Japan

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[発表日]2014/10/9
[資料番号]
奥付

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[発表日]2014/10/9
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2014/10/9
[資料番号]