エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2014/06/12)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2014/6/12
[資料番号]
目次

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[発表日]2014/6/12
[資料番号]
極薄EOT high-k/Geゲートスタックの熱安定性及び界面特性改善に向けたプロセス設計(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

淺原 亮平,  細井 卓治,  志村 考功,  渡部 平司,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-43
Al_2O_3/GeO_x/GeゲートスタックにおけるAl-PMA効果の調査(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

永冨 雄太,  長岡 裕一,  山本 圭介,  王 冬,  中島 寛,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-44
Sn/Geコンタクトにおけるフェルミレベルピニング現象の軽減(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

鈴木 陽洋,  朝羽 俊介,  横井 淳,  黒澤 昌志,  加藤 公彦,  坂下 満男,  田岡 紀之,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-45
金属/Ge界面における空孔欠陥の安定性 : 第一原理計算による検討(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

佐々木 奨悟,  中山 隆史,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-46
Ge_<1-x>Sn_xエピタキシャル成長における積層欠陥構造の制御(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

浅野 孝典,  田岡 紀之,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-47
Ge基板中のAs高効率活性化と低抵抗浅接合形成(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

浜田 慎也,  村上 秀樹,  小野 貫寛,  橋本 邦明,  大田 晃生,  花房 宏明,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-48
ALD法で作製したAl_2O_3/(Ta/Nb)O_x/Al_2O_3多層構造のチャージトラップフラッシュメモリーの評価(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

生田目 俊秀,  大井 暁彦,  伊藤 和博,  高橋 誠,  知京 豊裕,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-49
Mnナノドットを埋め込んだNi/SiO_x/Ni構造の抵抗変化特性(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

荒井 崇,  大田 晃生,  牧原 克典,  宮崎 誠一,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-50
p-Cu_2O/SiO_x/n-SiC構造pnメモリダイオードの低温形成(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

山下 敦史,  塚本 貴広,  須田 良幸,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-51
第一原理計算を用いたSi-rich SiO_2への水素・窒素原子の混入による影響の原子論的考察(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

白川 裕規,  山口 慶太,  神谷 克政,  白石 賢二,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-52
ナノ構造中における電子輸送の理論的研究(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

藤田 弦暉,  塩川 太郎,  高田 幸宏,  小鍋 哲,  村口 正和,  山本 貴博,  遠藤 哲郎,  初貝 安弘,  白石 賢二,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-53
III-Vナノワイヤ/Siヘテロ接合界面の電子素子応用と光電変換素子応用(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

冨岡 克広,  福井 孝志,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-54
VO_2単結晶薄膜中の転移応力制御による急峻な金属絶縁体転移の実現(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

矢嶋 赳彬,  二宮 裕磨,  西村 知紀,  長汐 晃輔,  鳥海 明,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-55
ナノドットを電極に用いたNi/SiO_x/Niダイオードの抵抗変化特性評価(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

大田 晃生,  劉 冲,  荒井 崇,  竹内 大智,  張 海,  牧原 克典,  宮崎 誠一,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-56
抵抗変化メモリにおけるナノ導通フィラメントの抵抗の温度依存性(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

大塚 慎太郎,  濱田 佳典,  清水 智弘,  新宮原 正三,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-57
抵抗変化メモリにおけるナノ空間を利用した導電性フィラメント形成制御とスイッチング特性の改善(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

高瀬 浩一,  谷本 優輔,  大塚 慎太郎,  清水 智弘,  新宮原 正三,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-58
酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

鶴岡 徹,  長谷川 剛,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-59
絶縁膜上におけるIV族半導体多結晶薄膜の低温形成 : 低融点Snの活用(MOSデバイス・メモリ高性能化-材料・プロセス技術)

黒澤 昌志,  田岡 紀之,  / 池上 浩,  竹内 和歌奈,  坂下 満男,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2014/6/12
[資料番号]SDM2014-60
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