エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2013/12/06)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/12/6
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/12/6
[資料番号]
パルス電圧ストレス下における酸化物TFTの発熱劣化解析(シリコン関連材料の作製と評価)

木瀬 香保利,  苫井 重和,  上岡 義弘,  山崎 はるか,  浦川 哲,  矢野 公規,  / 古田 守,  堀田 昌宏,  石河 泰明,  浦岡 行治,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-116
高圧水蒸気処理を施したn-GaN上ALD-Al_2O_3ゲート絶縁膜の電気的特性(シリコン関連材料の作製と評価)

吉嗣 晃治,  梅原 智明,  堀田 昌宏,  石河 泰明,  浦岡 行治,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-117
多結晶シリコン薄膜デバイスによるフォトセンサ(シリコン関連材料の作製と評価)

大山 翔平,  松村 篤,  門目 尭之,  田中 匠,  松田 時宜,  木村 睦,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-118
インジウムを介したVapor-Liquid-Solid機構に基づくシリコンナノワイヤーの形成と評価(シリコン関連材料の作製と評価)

福永 圭吾,  畑山 智亮,  矢野 裕司,  岡本 尚文,  谷 あゆみ,  石河 泰明,  冬木 隆,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-119
キャリア再結合抑制効果を持つ電界効果型薄膜太陽電池(シリコン関連材料の作製と評価)

若宮 翔太,  小林 孝裕,  松尾 直人,  部家 彰,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-120
レーザープロセスを用いたボロンドーピングによるn型単結晶シリコン太陽電池の作製(シリコン関連材料の作製と評価)

山本 悠貴,  西村 英紀,  岡村 隆徳,  福永 圭吾,  冬木 隆,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-121
リンドープのシリコンナノインクを用いたレーザードーピングによる単結晶シリコン太陽電池の作製(シリコン関連材料の作製と評価)

岡村 隆徳,  西村 英紀,  冬木 隆,  富澤 由香,  池田 吉紀,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-122
Poly-Si TFTを用いたGate Arrayの設計開発(シリコン関連材料の作製と評価)

井上 雅志,  松田 時宜,  木村 睦,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-123
スパッタリングより形成したAl_2O_3膜をゲート絶縁膜とするCLC低温Poly-Si TFT(シリコン関連材料の作製と評価)

目黒 達也,  原 明人,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-124
BLDA(青色半導体ダイオードアニール)によるSi薄膜結晶化と応用(シリコン関連材料の作製と評価)

野口 隆,  岡田 竜弥,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-125
軟X線照射による半導体薄膜の低温結晶化 : 光子エネルギー依存性とSiGe多層膜のTEM観察(シリコン関連材料の作製と評価)

草壁 史,  丸山 裕樹,  部家 彰,  松尾 直人,  神田 一浩,  望月 孝晏,  伊藤 和博,  高橋 誠,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-126
軟X線源を用いたSi中B原子の低温活性化技術の開発(シリコン関連材料の作製と評価)

部家 彰,  草壁 史,  丸山 裕樹,  松尾 直人,  神田 一浩,  野口 隆,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-127
グラフェン誘導体表面に構築したオンチップ型FRETアプタセンサ(シリコン関連材料の作製と評価)

上野 祐子,  古川 一暁,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-128
Cu/HfO_2/Pt構造CB-RAMの動作特性に対する溶媒置換の影響(シリコン関連材料の作製と評価)

長谷川 祥,  榎本 雄太郎,  片田 直伸,  伊藤 敏幸,  岸田 悟,  木下 健太郎,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-129
誘電体厚膜の形成とプロトンビームによる直接パターニング(シリコン関連材料の作製と評価)

渡辺 和貴,  山口 正樹,  西川 宏之,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-130
長方形断面Geナノワイヤの電子移動度の断面形状およびサイズ依存性(シリコン関連材料の作製と評価)

田中 一,  森 誠悟,  森岡 直也,  須田 淳,  木本 恒暢,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-131
界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察(シリコン関連材料の作製と評価)

金藤 夏子,  矢野 裕司,  大澤 愛,  畑山 智亮,  冬木 隆,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-132
コンダクタンス法を用いた面方位の異なるSiC MOS構造の界面準位の評価(シリコン関連材料の作製と評価)

中澤 成哉,  南園 悠一郎,  須田 淳,  木本 恒暢,  

[発表日]2013/12/6
[資料番号]SDM2013-133
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