エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2013/11/07)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/11/7
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/11/7
[資料番号]
2013 SISPADレビュー : 輸送,信頼性(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

森 伸也,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-99
2013 SISPADレビュー : 併設ワークショップ1(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

植松 真司,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-100
計算科学に基づく電子デバイス設計の現状(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

白石 賢二,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-101
低温RTAにおけるSi中のSの挙動とS2形成の原子レベルシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

金村 貴永,  加藤 弘一,  谷本 弘吉,  青木 伸俊,  豊島 義明,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-102
窒化シリコン中の窒素空孔に導入された元素が電子トラップ準位に与える影響(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

園田 賢一郎,  佃 栄次,  谷沢 元昭,  石川 清志,  山口 泰男,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-103
シリコントライゲートナノワイヤトランジスタの低周波ノイズ特性解析(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

齋藤 真澄,  太田 健介,  田中 千加,  沼田 敏典,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-104
量子エネルギー輸送モデルを用いた先端MOSFETシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

鍾 菁廣,  小田中 紳二,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-105
シリコンナノワイヤトランジスタの解析的ドレイン電流モデルとデバイス設計(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

田中 千加,  萩島 大輔,  内田 建,  沼田 敏典,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-106
DIBL効果を取り入れた弾道・準弾道GAA-MOSFSETのコンパクトモデル(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

程 賀,  宇野 重康,  中里 和郎,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-107
Pt/TiO_2/Pt系の抵抗変化現象の物理モデルとシミュレーションによる検証(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

大村 泰久,  近藤 祐介,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-108
Double-gate Lateral Tunnel FETのデバイスモデル(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

大村 泰久,  佐藤 大貴,  佐藤 伸吾 /,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-109
ジャンクションレストランジスタにおけるNEGF法を用いたデバイスシミュレーション : 不純物散乱と遮蔽の影響の考察(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

植田 暁子,  / 吉田 勝尚,  本多 周太,  佐野 伸行,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-110
ウィグナーモンテカルロ法を用いた極微細III-V MOSFETの量子輸送解析(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

大森 正規,  木場 隼介,  前川 容佑,  土屋 英昭,  鎌倉 良成,  森 伸也,  小川 真人,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-111
モンテカルロ法を用いたSiナノ構造の熱電変換性能に関する解析(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

ヌル アディスシロ インドラ,  久木田 健太郎,  鎌倉 良成,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-112
MOSFETの1/f雑音におけるHoogeパラメータの統合モデル(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

大村 泰久,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-113
チャネルドーピングによるランダム・テレグラフ・ノイズの変調及び移動度向上によるノイズ低減の検討(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

陳 杰智,  東 悠介,  平野 泉,  三谷 祐一郎,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-114
MOSFETの実効チャネル長の再考(プロセス・デバイス・回路シュミレーション及び一般)

寺田 和夫,  讃井 和彦,  辻 勝弘,  

[発表日]2013/11/7
[資料番号]SDM2013-115
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[発表日]2013/11/7
[資料番号]
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