エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2013/10/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/10/10
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/10/10
[資料番号]
SiCパワーデバイスの開発動向(プロセス科学と新プロセス技術)

四戸 孝,  

[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-88
Electrical Properties and Reliability of Ultrathin HfN Gate Insulator Formed on Si(100) and Si(110)

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[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-89
Effect of silicon surface roughness on 3-D MOS capacitor with ultrathin HfON gate insulator formed by ECR plasma sputtering

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[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-90
原子レベル平坦化Si表面のキャリアモビリティ特性に基づくマルチゲートMOSFETの構造設計(プロセス科学と新プロセス技術)

黒田 理人,  中尾 幸久,  寺本 章伸,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-91
内部量子効率100%のPD技術とオンチップ高透過積層膜を組み合わせた紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード(プロセス科学と新プロセス技術)

幸田 安真,  黒田 理人,  中尾 幸久,  須川 成利,  

[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-92
窒素添加LaB_6薄膜のデバイス応用に関する検討(プロセス科学と新プロセス技術)

前田 康貴,  大見 俊一郎,  後藤 哲也,  大見 忠弘,  

[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-93
バイアス印加硬X線光電子分光法を用いた絶縁膜/Si界面の評価(プロセス科学と新プロセス技術)

池野 成裕,  永田 晃基,  陰地 宏,  廣沢 一郎,  小椋 厚志,  

[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-94
古典的分子動力学計算による物理的プラズマダメージ形成機構の検討 : Fin型MOSFETでの欠陥生成機構(プロセス科学と新プロセス技術)

江利口 浩二,  松田 朝彦,  中久保 義則,  鷹尾 祥典,  斧 高一,  

[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-95
積層型不揮発性メモリの設計法(プロセス科学と新プロセス技術)

渡辺 重佳,  

[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-96
プラズマチャージングダメージがMOSFETのRandom Telegraph Noise特性に及ぼす影響(プロセス科学と新プロセス技術)

亀井 政幸,  中久保 義則,  鷹尾 祥典,  江利口 浩二,  斧 高一,  

[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-97
MOSFETのサブスレショルド領域におけるRandom Telegraph Noiseの時定数解析(プロセス科学と新プロセス技術)

米澤 彰浩,  寺本 章伸,  小原 俊樹,  黒田 理人,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2013/10/10
[資料番号]SDM2013-98
複写される方へ

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[発表日]2013/10/10
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2013/10/10
[資料番号]
奥付

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[発表日]2013/10/10
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2013/10/10
[資料番号]