エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2013/01/23)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2013/1/23
[資料番号]
目次

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[発表日]2013/1/23
[資料番号]
14nm世代以降に向けたアモルファス金属ゲートによるFinFETのV_tおよびG_mばらつき抑制技術(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

松川 貴,  柳 永勲,  水林 亘,  塚田 順一,  山内 洋美,  遠藤 和彦,  石川 由紀,  大内 真一,  太田 裕之,  右田 真司,  森田 行則,  昌原 明植,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-138
チャネル長を3nmに微細化した接合レストランジスタの電気特性(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

右田 真司,  森田 行則,  昌原 明植,  太田 裕之,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-139
Ge p- and n-MOSFETの高電界領域での移動度劣化機構の解析と原子層平坦GeO_x/Ge界面による移動度の向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

張 睿,  黄 博勤,  林 汝静,  竹中 充,  高木 信一,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-140
本質的なグラフェン/金属界面特牲(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

長汐 晃輔,  井福 亮太,  森山 喬史,  西村 知紀,  鳥海 明,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-141
AlONゲート絶縁膜導入によるSiCパワーMOSFETの高性能化及び信頼性向上(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

細井 卓治,  東雲 秀司,  柏木 勇作,  保坂 重敏,  中村 亮太,  箕谷 周平,  中野 佑紀,  浅原 浩和,  中村 孝,  木本 恒暢,  志村 考功,  渡部 平司,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-142
イメージセンサにおけるオンチップ光学系の進化(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

寺西 信一,  渡辺 尚志,  上田 壮彦,  仙石 直久,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-143
ランダム・テレグラフ・ノイズが低電圧CMOS論理回路の遅延ゆらぎに及ぼす影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

松本 高士,  小林 和淑,  小野寺 秀俊,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-144
ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計的評価手法と微細MOSFETばらつきへの影響(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

三木 浩史,  手賀 直樹,  山岡 雅直,  /,  小林 正治,  /,  /,  /,  /,  / 鳥居 和功,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-145
相補型原子スイッチを用いた不揮発プログラマブルセルとその回路マッピング実証(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

宮村 信,  多田 宗弘,  阪本 利司,  伴野 直樹,  岡本 浩一郎,  井口 憲幸,  波田 博光,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-146
高性能モバイルCPUの低消費電力化を実現する新規DRAM/MRAMハイブリッドメモリ(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

安部 恵子,  野口 紘希,  北川 英二,  下村 尚治,  伊藤 順一,  藤田 忍,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-147
スピン注入書き込みMRAM技術の進展と、そのノーマリオフコンピューティング実現に対する効果(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

與田 博明,  藤田 忍,  下村 尚治,  北川 英二,  安部 恵子,  野村 久美子,  野口 紘希,  伊藤 順一,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-148
ナノCMOSデバイスを用いた擬似スピンMOSFETの設計と性能(IEDM特集(先端CMOSテバイス・プロセス技術))

周藤 悠介,  山本 修一郎,  介川 裕章,  / 中根 了昌,  三谷 誠司,  田中 雅明,  猪俣 浩一郎,  菅原 聡,  

[発表日]2013/1/23
[資料番号]SDM2012-149
複写される方へ

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[発表日]2013/1/23
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2013/1/23
[資料番号]
奥付

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[発表日]2013/1/23
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2013/1/23
[資料番号]