エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2012/11/08)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/11/8
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/11/8
[資料番号]
2012 SISPADレビュー : 量子輸送,新材料,原子・分子モデリング,その他(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

鎌倉 良成,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-98
2012 SISPADレビュー : コンパクトモデル、デバイス(ばらつき、信頼性)(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

飯塚 貴弘,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-99
SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化 : 低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

中村 孝,  明田 正俊,  中野 佑紀,  大塚 拓一,  花田 俊雄,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-100
随伴変数法に基づくトポロジー最適化によるパワーデバイスの新設計手法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

野村 勝也,  近藤 継男,  石川 剛,  川本 敦史,  松森 唯益,  杉山 隆英,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-101
高周波帯域雑音計測プローブによるMOSFETの時間揺らぎ特性評価 : 1/f(低周波)から熱雑音(100MHz超)まで(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

大毛利 健治,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-102
ランダム・テレグラフ・ノイズを引き起こす欠陥の種類とその特性(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

陳 杰智,  平野 泉,  辰村 光介,  三谷 祐一郎,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-103
20nm以細MOSFETの実効移動度モデルの反転層電荷閉じ込めを考慮した評価(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

山本 真大,  廣木 彰,  尹 鍾鐵,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-104
低エネルギーLSI応用に向けたXCT-SOI CMOSの微細化指針に関する検討(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

佐藤 大貴,  大村 泰久,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-105
経験的擬ポテンシャル法による4H-SiC MOS反転層の2次元電子状態の計算(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

渡邊 龍太,  鎌倉 良成,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-106
離散不純物がナノワイヤトランジスタの電流電圧特性に及ぼす影響 : KMCとNEGFによる研究(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

森 伸也,  植松 真司,  三成 英樹,  ミリニコフ ゲナディ,  伊藤 公平,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-107
立体構造シリコン中の熱輸送に関する分子動力学シミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

図師 知文,  大毛利 健治,  山田 啓作,  渡邉 孝信,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-108
現実的分散モデルを用いたSi薄膜中のフォノン輸送モンテカルロシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

久木田 健太郎,  鎌倉 良成,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-109
カーボンナノチューブやグラフェンシートの電子バンド構造に及ぼす三次元ひずみ場の影響解析(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

鈴木 研,  大西 正人,  三浦 英生,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-110
Tunnel FETの非局所モデリング : デバイスモデルと回路モデル(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

福田 浩一,  森 貴洋,  水林 亘,  森田 行則,  田邊 顕人,  昌原 明植,  安田 哲二,  右田 真司,  太田 裕之,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-111
弾道・準弾道輸送円筒形GAA-MOSFETの回路コンパクトモデルとシミュレーション(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

程 賀,  宇野 重康,  沼田 達宏,  中里 和郎,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-112
トンネル型トランジスタを用いたシステムLSIとSEAセル型DRAMの設計法(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

鈴木 良輔,  渡辺 重佳,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-113
積層型Chain構造PRAM(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)

加藤 翔,  渡辺 重佳,  

[発表日]2012/11/8
[資料番号]SDM2012-114
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[発表日]2012/11/8
[資料番号]
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