エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日：2012/10/18)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/10/18
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/10/18
[資料番号]
SiO_2/Si(100)界面における組成遷移層に関する研究(プロセス科学と新プロセス技術)

諏訪 智之,  寺本 章伸,  室 隆桂之,  木下 豊彦,  須川 成利,  服部 健雄,  大見 忠弘,  

[発表日]2012/10/18
[資料番号]SDM2012-89
AR-XPS及びHAX-PESによるSiO_2/SiC界面の化学結合状態評価(プロセス科学と新プロセス技術)

岡田 葉月,  小松 新,  渡辺 将人,  泉 雄大,  室 桂隆之,  澤野 憲太郎,  野平 博司,  

[発表日]2012/10/18
[資料番号]SDM2012-90
微小角入射X線回折法を用いたSiO_2薄膜中の結晶相の評価(プロセス科学と新プロセス技術)

永田 晃基,  山口 拓也,  小椋 厚志,  小金澤 智之,  廣澤 一郎,  諏訪 智之,  寺本 章伸,  服部 健雄,  大見 忠弘,  

[発表日]2012/10/18
[資料番号]SDM2012-91
Noise Performance of Accumulation MOSFETs

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[発表日]2012/10/18
[資料番号]SDM2012-92
PECVD法を用いたゲートスペーサー用高品質シリコン窒化膜の低温形成プロセス(プロセス科学と新プロセス技術)

中尾 幸久,  寺本 章伸,  黒田 理人,  諏訪 智之,  田中 宏明,  須川 成利,  大見 忠弘,  

[発表日]2012/10/18
[資料番号]SDM2012-93
シリコンLSI : 微細化に替る高性能化の道(プロセス科学と新プロセス技術)

大見 忠弘,  中尾 幸久,  黒田 理人,  諏訪 智之,  田中 宏明,  須川 成利,  

[発表日]2012/10/18
[資料番号]SDM2012-94
Fabrication process of pentacene-based vertical OFETs with HfO_2 gate insulator

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[発表日]2012/10/18
[資料番号]SDM2012-95
Effect of silicon surface roughness on MOSFET performance with ultra-thin HfON gate insulator formed by ECR sputtering

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[発表日]2012/10/18
[資料番号]SDM2012-96
シリコンウェーハプロセスにおける超高速ウェットエッチング技術(プロセス科学と新プロセス技術)

酒井 健,  吉田 達朗,  吉川 和博,  大見 忠弘,  

[発表日]2012/10/18
[資料番号]SDM2012-97
複写される方へ

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[発表日]2012/10/18
[資料番号]
Notice for Photocopying

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[発表日]2012/10/18
[資料番号]
奥付

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[発表日]2012/10/18
[資料番号]
裏表紙

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[発表日]2012/10/18
[資料番号]