エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2012/06/14)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/6/14
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/6/14
[資料番号]
Pt/SiO_x/TiNダイオード構造の化学構造分析と電気抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

福嶋 太紀,  大田 晃生,  牧原 克典,  宮崎 誠一,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-43
貼り合わせ直接接合SrTiO_3(001)基板の抵抗スイッチング特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

淺田 遼太,  /,  吉川 純,  竹内 正太郎,  中村 芳明,  酒井 朗,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-44
Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

池田 弥央,  牧原 克典,  宮崎 誠一,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-45
リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

上武 央季,  小原 孝介,  上沼 睦典,  鄭 彬,  石河 泰明,  山下 一郎,  浦岡 行治,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-46
極薄GeON膜を用いた高移動度Ge MOSFETの作製と電気特性評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

箕浦 佑也,  糟谷 篤志,  細井 卓治,  志村 考功,  渡部 平司,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-47
Al_2O_3/Ge構造への酸素熱処理および酸素ラジカル処理による界面反応機構の解明(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

柴山 茂久,  加藤 公彦,  坂下 満男,  竹内 和歌奈,  田岡 紀之,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-48
TaO_x層挿入によるHfO_2/Ge界面反応制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

村上 秀樹,  三嶋 健斗,  大田 晃生,  橋本 邦明,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-49
ゲート電極の還元性がGe基板上Pr酸化膜のPr価数に与える影響(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

加藤 公彦,  坂下 満男,  竹内 和歌奈,  田岡 紀之,  中塚 理,  財満 鎭明,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-50
TiN電極中の酸素に起因したHf系High-kゲート絶縁膜の特性劣化(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

細井 卓治,  大嶽 祐輝,  有村 拓晃,  力石 薫介,  北野 尚武,  志村 考功,  渡部 平司,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-51
第一原理計算によるGe表面でのドーパント表面偏析挙動の解析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

飯島 郁弥,  澤野 憲太郎,  牛尾 二郎,  丸泉 琢也,  白木 靖寛,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-52
極薄層挿入によるAl/Ge接合の伝導特性制御(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

大田 晃生,  松井 真史,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-53
金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

小日向 恭祐,  中山 隆史,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-54
As^+イオン注入したゲルマニウム層の化学分析(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

小野 貴寛,  大田 晃生,  村上 秀樹,  東 清一郎,  宮崎 誠一,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-55
極浅接合における異なる化学結合状態を持つ不純物の検出とその深さ方向プロファイル評価(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

筒井 一生,  金原 潤,  宮田 陽平,  野平 博司,  泉 雄大,  室 隆桂之,  木下 豊彦,  アヘメト パールハット,  角嶋 邦之,  服部 健雄,  岩井 洋,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-56
エピタキシャルNiSi_2ソース/ドレインにおける原子層オーダーの接合位置制御及びドーパント偏析によるショットキーバリアハイトの低減(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

水林 亘,  右田 真司,  森田 行則,  太田 裕之,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-57
シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 : 熱酸化過程での偏析挙動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

深田 直樹,  滝口 亮,  石田 慎哉,  横野 茂樹,  関口 隆史,  村上 浩一,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-58
微細3次元デバイスに向けたシリサイドショットキーS/Dの界面制御方法の提案(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

田村 雄太,  吉原 亮,  角嶋 邦之,  アヘメト パールハット,  片岡 好則,  西山 彰,  杉井 信之,  筒井 一生,  名取 研二,  服部 健雄,  岩井 洋,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-59
微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

入沢 寿史,  小田 穣,  手塚 勉,  

[発表日]2012/6/14
[資料番号]SDM2012-60
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