エレクトロニクス-シリコン材料・デバイス(開催日:2012/05/10)

タイトル/著者/発表日/資料番号
表紙

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[発表日]2012/5/10
[資料番号]
目次

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[発表日]2012/5/10
[資料番号]
一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

牧原 克典,  池田 弥央,  宮崎 誠一,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-17,CPM2012-1,SDM2012-19
高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

深見 太志,  浦上 法之,  関口 寛人,  岡田 浩,  若原 昭浩,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-18,CPM2012-2,SDM2012-20
Si基板上無転位発光素子構造の実現に向けたn型およびp型AlGaPN混晶の電気的特性の評価(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

伊藤 宏成,  熊谷 啓助,  関口 寛人,  岡田 浩,  若原 昭浩,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-19,CPM2012-3,SDM2012-21
Si基板上半極性面(1-101)GdNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

久志本 真希,  谷川 智之,  本田 善央,  山口 雅史,  天野 浩,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-20,CPM2012-4,SDM2012-22
MOVPE法によるSi基板上GaPの成長速度依存性(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

高木 達也,  華 俊辰,  宮原 亮,  高野 泰,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-21,CPM2012-5,SDM2012-23
MEMSファブリペロー干渉計を用いた表面応力センサによる非標識たんぱく質検出(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

高橋 一浩,  大山 泰生,  三澤 宣雄,  奥村 弘一,  石田 誠,  澤田 和明,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-22,CPM2012-6,SDM2012-24
γ-Al_2O_3/Si基板上のエピタキシャルPZT薄膜を用いた超音波トランスデューサアレイの作製と送受信特性(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

尾崎 勝弥,  西村 将人,  鈴木 啓佑,  沼田 泰幸,  岡田 長也,  赤井 大輔,  石田 誠,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-23,CPM2012-7,SDM2012-25
光化学堆積SnO_2薄膜を用いた小型携帯式水素センサの試作(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

オ ドンポリル,  森口 幸久,  市村 正也,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-24,CPM2012-8,SDM2012-26
Ga_2O_3酸素センサの作製と評価(センサ,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

以西 雅章,  山本 貴弘,  鳥井 琢磨,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-25,CPM2012-9,SDM2012-27
半導体ドレイン層及び狭チャネルメサ幅による縦型InGaAsチャネルMISFETの高電圧利得化(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

柏野 壮志,  平井 準,  池田 俊介,  藤松 基彦,  宮本 恭幸,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-26,CPM2012-10,SDM2012-28
ドライエッチ面を含むAl_2O_3O_3/AlGaN/GaN構造の界面評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

谷田部 然治,  堀 祐臣,  金 聖植,  橋詰 保,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-27,CPM2012-11,SDM2012-29
縦型GaNデバイスを目指したGaN基板の評価(FET,界面・結晶評価,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

加地 徹,  上杉 勉,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-28,CPM2012-12,SDM2012-30
N交互供給によるn-GaPN:Sの有機金属気相成長と電気的特性の検討(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

永本 勇矢,  松岡 勝彦,  関口 寛人,  岡田 浩,  若原 昭浩,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-29,CPM2012-13,SDM2012-31
金属誘起結晶成長法によるSiC薄膜の低温結晶化の試み(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

阿部 克也,  牛草 遼平,  坂口 優也,  周 澤宇,  山上 朋彦,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-30,CPM2012-14,SDM2012-32
低エネルギー電子線照射を施したp型4H-SiCにおける再結合中心の評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

吉原 一輝,  加藤 正史,  市村 正也,  畑山 智亮,  大島 武,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-31,CPM2012-15,SDM2012-33
SiGe基板上へのひずみGeエピタキシャル層成長と結晶物性評価(ワイドギャップおよびGe(成長・評価・物性),結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

山羽 隆,  中塚 理,  木下 恭一,  依田 眞一,  財満 鎭明,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-32,CPM2012-16,SDM2012-34
第一原理計算によりもとめたCdS/Cu_2ZnSnS_4ヘテロ接合界面バンドオフセットの結晶構造と面方位依存性(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

ホウ ウジスグリム,  市村 正也,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-33,CPM2012-17,SDM2012-35
硫酸ガリウム水溶液からの酸化ガリウムの電解析出(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

ヴェッキーゾ ジュニ ジョン,  市村 正也,  

[発表日]2012/5/10
[資料番号]ED2012-34,CPM2012-18,SDM2012-36
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